[发明专利]使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法

权利要求书

1.一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：

将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；

确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作；以及

根据所述确定重编程所选择的存储器单元，

其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以对应于所选择的存储器单元中的每一个的多位数据加载程序高速缓存。

3.如权利要求1所述的方法，其中所选择的存储器单元彼此相邻并且被顺序编程。

4.如权利要求3所述的方法，其中确定是否对所选择的存储器单元执行重编程操作包括基于随后编程的存储器单元的多位数据，确定随后要被编程的存储器单元是否会在所选择的存储器单元上导致耦合效应。

5.如权利要求4所述的方法，其中当随后编程的存储器单元的至少一个多位数据对应于预先确定的阈值电压之上的状态时，从重编程操作中排除该所选择的存储器单元。

6.如权利要求5所述的方法，其中当对应于随后编程的存储器单元的多位数据的状态低于预先确定的阈值电压时，确定该所选择的存储器单元要被重编程。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二校验电压对应于多个状态中的编程状态。

8.一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：

将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；

利用第二校验电压读取所选择的存储器单元来获取读取数据，所述第二校验电压高于所述第一校验电压；

通过将所述读取数据与所述多位数据相比较来检测编程下的存储器单元；以及

重编程所述编程下的存储器单元，

其中重编程所述编程下的存储器单元包括按照第二校验电压执行的校验读取操作。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括以对应于所选择的存储器单元中的每一个的多位数据加载程序高速缓存。

10.如权利要求8所述的方法，其中所选择的存储器单元彼此相邻并且被顺序编程。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一和第二校验电压对应于多个状态中的编程状态。

12.一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：

将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；以及

将所述多位数据重编程到所选择的存储器单元，

其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。

13.如权利要求12所述的方法，进一步包括以对应于所选择的存储器单元中的每一个的多位数据加载程序高速缓存。

14.如权利要求12所述的方法，其中所选择的存储器单元彼此相邻并且被顺序编程。