[发明专利]光刻器件制造方法、光刻单元和计算机程序产品

权利要求书

1.一种光刻器件制造方法，包括步骤：

以包括从表面突出的并被表面的未覆盖部分分隔的第一和第二特征段的图案，对第一辐射敏感材料层进行图案化，所述第一辐射敏感材料层被设置成至少部分地覆盖衬底表面；

将第二辐射敏感材料层提供给表面的未覆盖部分；

以包括相对于第一和第二特征段设置在隔行交错位置上并且从表面的未覆盖部分突出的第三特征段的图案，对第二辐射敏感材料层进行图案化，所述第三特征段被设置用于结合第一和第二特征段、以提供所需图案的一部分，

其中所述方法还包括步骤：

在提供第二辐射敏感材料层之前和对第一辐射敏感材料层进行图案化之后，将表面调整工艺应用到表面的未覆盖部分，以增强第三特征段至表面上的附着力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面调整工艺被设置用于改变表面的未覆盖部分的极性、酸性或极性和酸性。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述表面调整工艺包括将衬底暴露给酸。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述酸是氢氟酸或乙酸。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述表面调整工艺包括将衬底暴露给基于碳氟化合物的等离子体或基于含氢的碳氟化合物的等离子体。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述表面是底部抗反射涂层、无机底部抗反射涂层或置于衬底上的硬掩模的表面。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述第二辐射敏感材料具有与第一辐射敏感材料的性质相反的性质。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述第一辐射敏感材料为正型，而所述第二辐射敏感材料为负型。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括在提供第二辐射敏感材料层之前和对第一辐射敏感材料层进行图案化之后，使衬底经历硬烘烤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硬烘烤在高于200开氏度的温度下执行。

11.一种光刻单元，包括光刻设备、多个工艺设备和用于控制光刻设备和工艺设备的控制单元，其中，所述多个工艺设备包括设置用于增强第二辐射敏感材料的第三特征段至衬底表面的未覆盖部分上的附着力的表面调整设备，所述表面调整设备置于第一辐射敏感材料的第一和第二特征段之间。

12.根据权利要求11所述的光刻单元，其中，所述表面调整设备与酸、氢氟酸或乙酸的供给装置相连。

13.根据权利要求11所述的光刻单元，其中，所述表面调整设备被设置用于将衬底暴露给基于碳氟化合物的等离子体或基于含氢的碳氟化合物的等离子体。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的光刻单元，其中，所述表面调整设备被包括在与光刻投影设备相连和与光刻投影设备一起使用的轨道中。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的光刻单元，其中，所述控制单元包括具有在其中存储的指令的存储介质，以使得光刻单元能够实现一种方法，所述方法按所述顺序包括步骤：

将第一辐射敏感材料层提供到衬底的表面上；

以包括从表面突出并由表面的未覆盖部分分隔的第一和第二特征段的图案对所述层进行图案化；

将表面调整工艺应用到表面的未覆盖部分，以增强至第二辐射敏感材料的第三特征段的表面的附着力；

将第二辐射敏感材料层提供给表面的未覆盖部分；

以包括相对于第一和第二特征段设置在隔行交错的位置上且从表面的未覆盖部分突出的第三特征段的图案，对第二辐射敏感材料层进行图案化，且其中，所述第一、第二和第三特征段设置用于结合提供所需图案的一部分。

16.根据权利要求15所述的光刻单元，其中，所述第二辐射敏感材料具有与第一辐射敏感材料的性质相反的性质。

17.一种包括记录在计算机可读介质上的指令的计算机程序产品，所述指令适用于控制光刻单元以实现器件制造方法，所述方法按所述顺序包括步骤：

将第一辐射敏感材料层提供到衬底表面上；

以包括从表面突出并被表面的未覆盖部分分隔的第一和第二特征段的图案，对该层进行图案化；

将表面调整工艺应用到表面的未覆盖部分，以增强至第二辐射敏感材料的第三特征段的表面上的附着力；

将第二辐射敏感材料的层提供到表面的未覆盖部分；

以包括相对于第一和第二特征段置于隔行交错位置上且从表面的未覆盖部分突出的第三特征段的图案，对第二辐射敏感材料层进行图案化，且其中所述第一、第二和第三特征段设置用于结合提供所需图案的一部分。