[发明专利]磁头与磁盘设备无效
| 申请号: | 200710198868.7 | 申请日: | 2007-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN101206866A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 船山知己 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39;G11B5/31;H01L43/08 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁头 磁盘 设备 | ||
技术领域
本发明涉及磁头和磁盘设备,该磁头在检测(sensing)状态下使得检测电流垂直地从一对电极流到自旋阀膜表面。
背景技术
近些年来,HDD(硬盘驱动器)等磁记录/再现设备的密度增长急速前进。因此,需要有效处理高记录密度的磁头。
目前,使用产生磁阻的自旋阀型磁阻元件的磁头是主流。自旋阀型磁阻膜具有由磁化固定层(固定层(pin layer))/中间层(间隔层)/磁化自由层(自由层)构成的层叠结构。
作为磁阻膜,所谓CPP(电流垂直于平面)型的构造是已知的(USP No.6,643,103(图7)),其中,在检测状态下,使得检测电流从一对电极垂直流到自旋阀膜表面。
在上述文档所介绍的磁头中,偏置磁场在轨道宽度的方向上由独立于磁阻元件布置的一对永磁体施加到磁化自由层。然而,这种结构对窄轨道来说是不利的,且难以提高介质的记录密度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磁头和磁盘设备,其具有这样的磁阻元件:该元件能够提高介质(信息被磁记录于其上)的记录密度,并在检测状态下使电流垂直地从一对电极流到自旋阀膜表面。
根据本发明的一个实施形态,提供了一种磁头,其包含:磁阻元件,其具有与介质(信息在轨道方向上被磁记录于其上)相对的气垫表面,并具有在轨道方向上循序布置的第一自旋阀层、偏置层、第二自旋阀层,第一自旋阀层具有包含铁磁性膜的第一磁化自由层、包含有着固定磁化方向的铁磁性膜的第一磁化固定层包含以及布置在第一磁化自由层与第一磁化固定层之间的第一非磁性中间层,第二自旋阀层具有包含铁磁性膜的第二磁化自由层、包含有着固定磁化方向的铁磁性膜的第二磁化固定层以及布置在第二磁化自由层与第二磁化固定层之间的第二非磁性中间层,偏置层具有磁性层以便在与轨道方向正交的轨道宽度方向上向第一磁化自由层以及第二磁化自由层施加偏置磁场;一对电极,其用于使具有几乎与轨道方向平行的方向的电流流入磁阻元件。
信息在其上被磁记录的介质的记录密度能够得到增大。
本发明的其他目的和优点将在后面的说明书中陈述,并部分地从说明书中明了,或者,可从对本发明的实践习得。本发明的目的和优点可借助下面特别指出的手段和组合实现和获得。
附图说明
图1为一截面图,其示出了根据本发明一实施例的包含记录头与再现头的磁头的构造;
图2为一截面图,其示出了在图1所示的磁头中沿着线I-I切割的部分的构造;
图3为一透视图,其示出了图1所示的再现头的磁阻元件部分的构造;
图4为一透视图,其用于阐释再现头的磁偏置;
图5A、5B、5C、5D、5E用于阐释再现头的运行;
图6A、6B示出了偏置膜宽度(W)与施加到磁化自由层的磁场大小之间的关系;
图7为根据本发明一实施例的磁记录/再现设备的透视图;以及
图8为根据本发明一实施例的磁头组件的透视图。
具体实施方式
下面将参照附图介绍根据本发明的不同实施例。
图1为一截面图,其示出了根据本发明一实施例包含记录头与再现头的磁头的构造。在图1中,纸的前侧的部分为气垫表面(ABS)。图2为一截面图,其示出了在图1所示的磁头中沿着线I-I切割的部分的构造。
如图1和2所示,磁头具有记录头1、再现头2等等。在从ABS表面看的记录头1的截面上,露出了主磁极61和返回轭62。在从ABS表面看的再现头2的截面上,露出了上电极52、下电极53、磁阻元件51以及侧屏蔽54。磁阻元件51和侧屏蔽54被夹在上电极52与下电极53之间。
在检测状态中,通过上电极52和下电极53,电流在轨道方向上在磁阻元件51中流动。
如图2中的截面图所示,记录头1由包含磁性材料的主磁极61、包含例如Cu的导电材料的励磁用线圈63、通过辅助磁极64被连接到主磁极61且包含磁性材料的返回轭62构成。
下面介绍再现头2的磁阻元件51。图3为根据本发明一实施例的再现头2的磁阻元件51部分的透视图。磁阻元件51具有第一自旋阀31、第二自旋阀32、夹在两个自旋阀之间的偏置层33。第一自旋阀31、偏置层33、第二自旋阀32沿着轨道方向循序布置。
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