[发明专利]电压调节器

权利要求书

1.一种电压调节器，其具有相位补偿电路，从输出端子向负载输出被控制为恒定的电压，其特征在于，该电压调节器具有：

第一晶体管，其栅极与误差放大器的输出连接，源极与电源连接；

输出晶体管，其栅极与所述误差放大器的输出连接，源极与所述电源连接，漏极与所述输出端子连接；

第二晶体管，其栅极与第三晶体管的栅极连接，源极与所述第一晶体管的漏极连接；

所述第三晶体管，其源极与所述输出端子连接，栅极和漏极相互连接；

电阻元件，其设在所述第二晶体管的漏极和地之间；

恒定电流源，其设在所述第三晶体管的漏极和所述地之间；

分压电路，其设在所述输出端子和所述地之间；

电容，其设在所述第一晶体管的漏极和所述分压电路的输出之间；

基准电压电路；以及

误差放大器，其第一端子与所述基准电压电路的输出连接，第二端子与所述分压电路的输出连接。

2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述恒定电流源由第一NMOS晶体管构成，该第一NMOS晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极连接，栅极与所述基准电压电路的输出连接，源极与所述地连接。

3.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述电阻元件由第二NMOS晶体管构成，该第二NMOS晶体管的栅极和漏极与所述第二晶体管的漏极连接，源极与所述地连接。

4.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述电阻元件由耗尽型NMOS晶体管构成，该耗尽型NMOS晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，栅极和源极与所述地连接。

5.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述电阻元件由第三NMOS晶体管构成，该第三NMOS晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，栅极与所述基准电压电路的输出连接，源极与所述地连接。

6.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，所述恒定电流源由第一PMOS晶体管构成，该第一PMOS晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，栅极与所述基准电压电路的输出连接，漏极与所述地连接。