[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号: | 200710196917.3 | 申请日: | 2007-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN101197385A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
| 发明(设计)人: | 朴珍皞 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822;G02B5/20;G02B3/00;G03F7/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个光电二极管,位于半导体上;
滤色镜,位于各个所述光电二极管上或上方;
平坦化层,覆盖所述多个滤色镜;以及
亲水微透镜,位于所述平坦化层上,与第一滤色镜相对应,所述亲水微透镜与对应于一个或者多个第二滤色镜的疏水微透镜交替,所述疏水微透镜与所述亲水微透镜的边缘相接触。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述亲水微透镜与所述疏水微透镜位于一个矩阵中,其中一个所述亲水微透镜的周边与四个所述疏水微透镜相接触。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述亲水微透镜与所述疏水微透镜位于一个矩阵中,其中一个所述疏水微透镜的周边与四个所述亲水微透镜相接触。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述滤色镜包括透射红光的红色滤色镜、透射绿光的绿色滤色镜、以及透射蓝光的蓝色滤色镜,其中所述红色滤色镜、绿色滤色镜和蓝色滤色镜具有相同的高度。
5.一种图像传感器的制造方法,包括下列步骤:
在半导体衬底上形成多个光电二极管结构;
在各个所述光电二极管上或者上方形成第一滤色镜、邻近所述第一滤色镜的第二滤色镜、以及邻近所述第二滤色镜的第三滤色镜;
形成覆盖所述第一滤色镜、所述第二滤色镜和所述第三滤色镜的平坦化层;
在所述平坦化层上形成对应于所述第一滤色镜和所述第三滤色镜的第一微透镜;以及
在所述平坦化层上形成对应于所述第二滤色镜的第二微透镜,所述第二微透镜与所述第一微透镜的边缘接触。
6.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述第一微透镜的步骤包括:
在所述平坦化层上形成第一光敏层;
通过图案化所述第一光敏层,在所述平坦化层上形成对应于所述第一滤色镜和所述第三滤色镜的第一微透镜前体;以及
回流所述第一微透镜前体。
7.根据权利要求5所述的方法,其中形成所述第二微透镜的方法包括:
在所述平坦化层上形成第二光敏层;
通过图案化所述第二光敏层,在所述平坦化层上形成对应于所述第二滤色镜的第二微透镜前体;以及
回流所述第二微透镜前体。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一滤色镜是红色滤色镜,所述第三滤色镜是蓝色滤色镜,以及所述第二滤色镜是绿色滤色镜。
9.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一微透镜是疏水的,并且所述第二微透镜是亲水的。
10.一种图像传感器,包括:
多个光电二极管,位于半导体衬底上;
滤色层,位于各个所述光电二极管上或者上方,包括具有第一高度的第一滤色镜和具有不同于所述第一高度的第二高度的第二滤色镜,所述第二滤色镜位于所述第一滤色镜的边缘处;以及
多个微透镜,包括位于所述第一滤色镜上或者上方的第一微透镜和位于所述第二滤色镜上或者上方的第二微透镜。
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一滤色镜是红色滤色镜或者蓝色滤色镜。
12.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第二滤色镜是绿色滤色镜。
13.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一微透镜包括具有第一折射率的亲水材料。
14.根据权利要求13所述的图像传感器,其中所述第二微透镜包括具有第二折射率的疏水材料。
15.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一微透镜包括具有第一折射率的疏水材料。
16.根据权利要求15所述的图像传感器,其中所述第二微透镜包括具有第二折射率的亲水材料。
17.根据权利要求10所述的图像传感器,其中所述第一微透镜和所述第二微透镜包括同一材料,并且具有不同的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





