[发明专利]曝光方法

权利要求书

1.一种曝光方法，适用于一光刻制程，其特征在于该方法包括：

以一对准装置对一晶圆进行一精密对准步骤；

在进行该精密对准步骤之后，以一曝光装置对该晶圆进行一粗略对准步骤，其中该对准装置和该曝光装置两者分别是独立配置；

将该精密对准步骤所得的结果与该粗略对准步骤所得的结果交互比对；以及

依据比对结果以该曝光装置来对该晶圆进行一光刻胶曝光步骤。

2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，该精密对准步骤所测量的对准标记数量大于该粗略对准步骤所测量的对准标记数量。

3.一种曝光方法，适用于一光刻制程，其特征在于该方法包括：

以一对准装置对一第一批次晶圆进行一精密对准步骤；

在该第一批次晶圆进行过该精密对准步骤之后，以一曝光装置对该第一批次晶圆进行一粗略对准步骤，其中该对准装置和该曝光装置两者分别是独立配置；

将该第一批次晶圆进行该精密对准步骤所得的结果与该第一批次晶圆进行该粗略对准步骤所得的结果交互比对，以得到一比对结果；

利用该比对结果对该曝光装置进行校正；以及

以该曝光装置对该第一批次晶圆进行一光刻胶曝光步骤。

4.如权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，该精密对准步骤所测量的对准标记数量大于该粗略对准步骤所测量的对准标记数量。

5.如权利要求4所述的曝光方法，其特征在于，该对准装置包括一离线配置的对准装置。

6.如权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，利用该比对结果对该曝光装置进行校正包括利用一反馈机制，将该比对结果自动反馈于该曝光装置中以进行校正。

7.如权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，还包括以该对准装置对一第二批次晶圆进行该精密对准步骤。

8.如权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，对该第二批次晶圆进行该精密对准步骤与对该第一批次晶圆进行该粗略对准步骤为同时进行。

9.如权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，该对准装置包括一离线配置的对准装置。

10.如权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，利用该比对结果对该曝光装置进行校正包括利用一反馈机制，将该比对结果自动反馈于该曝光装置中以进行校正。