[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法

权利要求书

1.一种成膜装置的使用方法，该成膜装置具备具有以选自石英和碳化硅构成的组中的材料为主成分的内面的处理容器，该方法的特征在于，包括：

在所述处理容器内，进行在制品用的被处理基板上形成硅氮化膜的成膜处理的工序；

接着，从所述处理容器卸载所述制品用的被处理基板的工序；和

之后，将氧化气体供向没有容纳制品用的被处理基板的前述处理容器内，进行使附着在前述处理容器的前述内面上的副生成物膜在从其表面至规定深度的部分上变化为氧比氮丰富的状态的氧化处理的工序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化处理具有在通过等离子体激励机构激励所述氧化气体的状态下将该氧化气体供向所述处理容器内的期间，利用这样生成的所述氧化气体的自由基对所述副生成物膜进行氧化。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化气体具有氧。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化处理将所述处理容器内的压力设定为30Pa～300Pa。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化处理将所述处理容器的所述内面的温度设定为400℃～650℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述规定的深度为1～10nm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化处理，在通过等离子体激励机构不激励所述氧化气体的状态下将该氧化气体供向所述处理容器内.

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述氧化处理将所述处理容器的所述内面的温度设定为400℃～800℃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述氧化处理后，向没有容纳制品用的被处理基板的所述处理容器内供给氮化气体，进行使被氧化过的所述副生成物膜的表面层回复到氮比氧丰富的状态的氮化处理的工序。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述表面层的厚度为0.1～0.5nm。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述氮化处理具有在通过等离子体激励机构激励所述氮化气体的状态下将该氮化气体供向所述处理容器内的期间，利用这样生成的所述氮化气体的自由基对所述副生成物膜的表面层进行氮化。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于：

所述氮化气体具有氨。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：

所述氮化处理将所述处理容器内的压力设定为50Pa～100Pa。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：

所述氮化处理将所述处理容器的所述内面的温度设定为400℃～650℃。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述成膜处理具有下述工序，即将具有硅源气体的第一成膜气体和具有氮化气体的第二成膜气体供向所述处理容器内，利用CVD形成硅氮化膜的工序。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于：

在通过多次反复进行所述成膜处理导致所述硅氮化膜的累积厚度超过规定值之前，执行所述氧化处理。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括：

所述氧化处理后，向没有容纳制品用的被处理基板的所述处理容器内供给与所述第二成膜气体用的氮化气体相同的氮化气体，进行使被氧化过的所述副生成物膜的表面层回复到氮比氧丰富的状态的氮化处理的工序。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述处理容器以在上下设置间隔并在叠层的状态下容纳多块被处理基板的方式构成，在所述处理容器的周围配置用于加热所述多块被处理基板的加热器。