[发明专利]晶粒重新配置的封装结构中使用顺应层的制造方法有效
申请号: | 200710196102.5 | 申请日: | 2007-11-28 |
公开(公告)号: | CN101452863A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 吴佩宪 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 重新 配置 封装 结构 使用 顺应 制造 方法 | ||
1.一种晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,包括:
提供多个晶粒,每一该晶粒具有一有源面且该有源面上配置有多个焊垫,且每一该晶粒为已知功能正常的晶粒;
取放所述多个晶粒至一衬底上,每一该晶粒是以覆晶方式将该有源面与一配置于该衬底上的一粘着层连接,其中该衬底的一背面及每一该晶粒的一背面均配置有多个对准标志;
形成一高分子材料层于该衬底及部分所述多个晶粒上;
覆盖一模具装置至该高分子材料层上,以平坦化该高分子材料层,使该高分子材料层充满于所述多个晶粒之间并包覆每一该晶粒;
脱离该模具装置,以暴露出该高分子材料层的一表面;
脱离该衬底,以暴露出每一该晶粒的该有源面以及每一该焊垫,以形成一封装体;
形成一第一牺牲层以覆盖每一该晶粒的该有源面以及每一该焊垫;
形成一第二牺牲层于该第一牺牲层之上;
移除部分该第二牺牲层及该第一牺牲层以形成一阶梯状结构,且在相对于每一该晶粒的该有源面的所述多个焊垫处形成多个孔洞,以暴露出每一该焊垫;
形成多个图案化的金属线段在该第二牺牲层及该第一牺牲层之上,并使所述多个图案化的金属线段的一端与每一该晶粒的该有源面上的所述多个焊垫形成电性连接;
形成一图案化的保护层,以覆盖所述多个图案化金属线段的一部分并暴露出位于该第二牺牲层上的部分所述多个图案化的金属线段;及
切割该封装体,以形成多个各自独立的完成封装的晶粒。
2.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,其中移除该第二牺牲层及该第一牺牲层以形成具有高低的该阶梯状结构的步骤包含:
形成一图案化光刻胶层在该第二牺牲层之上;
以该第一牺牲层为蚀刻终止层,蚀刻以移除部分该第二牺牲层;及
以部分该第二牺牲层为屏蔽,移除部分该第一牺牲层于相对于每一该晶粒的该有源面的所述多个焊垫处形成所述多个孔洞,以暴露出每一该焊垫。
3.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,其中移除该第一牺牲层及该第二牺牲层是由一湿式蚀刻工艺来形成。
4.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,其中形成所述多个图案化的金属线段包含:
形成一金属层以覆盖在该第二牺牲层及该第一牺牲层之上;
形成一图案化的光刻胶层在该金属层上;
移除部分该金属层,以保留在该第二牺牲层及所述焊垫上的金属层,以形成所述图案化的金属线段。
5.如权利要求4所述的晶粒重新配置的封装方法,其特征在于,其中移除部分该金属层是利用湿式蚀刻。
6.一种晶粒重新配置的封装结构,其特征在于,包括:
一晶粒,其一有源面上配置有多个焊垫,其中该每一该晶粒为已知的功能正常的晶粒及每一该晶粒的一背面均配置有多个对准标志;
一封装体,包覆该晶粒的五个面并暴露出该晶粒的该有源面;
多个高分子材料所形成的凸块结构,以阵列方式配置于该晶粒的有源面之上;
多个图案化的金属线段,其一端与该晶粒的有源面上的多个焊垫电性连接,其另一端则以扇出方式延伸并覆盖于每一该凸块结构之上;及
一保护层,用以覆盖所述图案化的金属线段及部分封装体,并暴露出该凸块及覆盖于该凸块结构上的所述多个图案化的金属线段。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司,未经南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710196102.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:彩色影像质量调节系统及方法
- 下一篇:基于目标检索与识别的图像监视系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造