[发明专利]半导体装置封装及其封装方法无效
| 申请号： | 200710195969.9 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101211873A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李焕哲 | 申请（专利权）人： | 艾普特佩克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L23/488;H01L27/146;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国忠清北道清原*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 及其 方法 | ||
1.一种半导体装置封装，其特征在于包括：
半导体装置；
衬底组合件，其设置成面朝所述半导体装置；
焊接密封环，其紧密地密封所述半导体装置和所述衬底组合件；以及
多个焊球，其设置在所述衬底组合件的所述焊接密封环的外周边中，
其中所述焊接密封环具有高于所述焊球的熔点。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述半导体装置是图像传感器，且所述衬底组合件具有透光性。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括多个倒装芯片焊接点，所述焊接点位于所述半导体装置与所述衬底组合件之间以将所述半导体装置电连接到所述衬底组合件，其中所述倒装芯片焊接点具有与所述焊接密封环相同的熔点。
4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其特征在于，所述焊接密封环和所述倒装芯片焊接点的熔点比所述焊球的熔点高大约30℃到60℃。
5.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其特征在于，所述焊接密封环和所述倒装芯片焊接点的熔点在大约210℃到240℃的范围内，且所述焊球的熔点在大约170℃到200℃的范围内。
6.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其特征在于，所述半导体装置是图像传感器，且所述衬底组合件具有透光性。
7.一种封装半导体装置的方法，其特征在于包括：
在所述半导体装置上形成焊接密封环；
将焊球结合在衬底组合件上，所述焊球具有低于所述焊接密封环的熔点；
通过将所述衬底组合件定位成面朝所述半导体装置且结合所述焊接密封环来紧密地密封所述半导体装置和所述衬底组合件；以及
在将所述衬底组合件定位在所述外部电路板上之后将所述焊球结合到外部电路板。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述焊接密封环进一步包括形成多个倒装芯片焊接点，其具有与所述焊接密封环的外周边中的所述焊接密封环的熔点相同的熔点，以及
紧密地密封所述半导体装置和所述衬底组合件进一步包括将所述倒装芯片焊接点结合在一起以将所述半导体装置与所述衬底组合件电连接。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，结合所述焊球包括将所述焊球加热到高于所述焊球的熔点且低于所述焊接密封环的熔点的回流温度。
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