[发明专利]影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法

权利要求书

1.一种影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于该方法包 含以下步骤：

提供一基板，该基板定义有一第一区域；

在该基板上方形成一第一非晶硅层；

图案化该第一非晶硅层于该第一区域形成一第一非晶硅岛；

形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该第一非晶硅岛；

形成一第二非晶硅层覆盖该栅极绝缘层；

以波长大于400纳米的激光光源，执行一激光回火制造过程，使得该第 二非晶硅层、该第一非晶硅岛同时再结晶为一第二多晶硅层、一第一多晶 硅岛；

图案化该第二多晶硅层，在第一多晶硅岛上方形成一第一多晶硅栅极； 以及

其中第一多晶硅岛不具有沟道离子掺杂。

2.根据权利要求1所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其中所述的波长大于400纳米的激光光源其较佳为波长范围400 纳米至700纳米的可见光激光。

3.根据权利要求2所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其中所述的较佳波长范围400纳米至700纳米的可见光的更佳者 为波长532纳米的雅格激光光源。

4.根据权利要求1所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其中经过上述该激光回火制造过程后，该第一多晶硅栅极的晶粒 尺寸大于该第一多晶硅岛的晶粒尺寸。

5.根据权利要求1所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其中所述的基板上定义一第二区域，该制造方法还包含：

图案化该第一非晶硅层于该第二区域形成一第二非晶硅岛；

该栅极绝缘层覆盖该第二非晶硅岛；

执行该激光回火制造过程使该第二非晶硅岛结晶为一第二多晶硅岛；

图案化该第二多晶硅层，在该第二多晶硅岛上方形成一第二多晶硅栅 极；以及

经由掺杂形成一第二漏极与一第二源极。

6.根据权利要求5所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其中经过上述该激光回火制造过程后，该第二多晶硅栅极的晶粒 尺寸大于该第二多晶硅岛的晶粒尺寸。

7.根据权利要求1所述的影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法，其 特征在于其还包含步骤：提供一第二基板，封合该基板与该第二基板，并注 入一液晶于该基板与该第二基板之间，以形成一液晶显示系统。