[发明专利]一种FLASH的写操作处理方法、系统及设备有效
申请号: | 200710195568.3 | 申请日: | 2007-12-06 |
公开(公告)号: | CN101178678A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 林建加 | 申请(专利权)人: | 福建星网锐捷网络有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14;G06F13/16 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 350015福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 flash 操作 处理 方法 系统 设备 | ||
技术领域
本发明涉及数据安全,特别涉及一种FLASH的写操作处理方法、系统、FLASH写操作处理装置及CPU管理系统。
背景技术
FLASH存储器又称闪存,是一种可以在线多次擦除的非易失性存储器,即掉电后数据不会丢失,是一种嵌入式系统中典型的存储设备,在嵌入式系统中FLASH一般用于存储系统工作的代码和数据。
并行FLASH是FLASH存储器的一种,又称为NOR FLASH,由于并行FLASH支持代码片上执行,应用程序和启动代码可以直接在FLASH上运行,因此嵌入式系统中一般用于存储系统的启动代码。
并行FLASH器件一般包含地址信号线、数据信号线和读写控制线,CPU处理器通过以上三种信号线读或写FLASH内容。
图1为并行FLASH的管脚示意图,如图所示,例中并行FLASH的管脚分别代表是:
RESET为芯片的复位管脚;
CE为芯片的片选信号线;
WE为芯片的写控制线;
OE为芯片的读控制线;
VCC为芯片的电源输入管脚;
VSS为芯片的接地管脚;
BYTE为芯片的工作方式选择管脚,BYTE接高电平时芯片工作在16位工作模式,BYTE接地时芯片工作在8位工作模式;
WP/ACC芯片的写保护管脚,WP接低电平时芯片不允许被修改;
DQ0-DQ7芯片工作在8位模式下的数据信号线;
DQ8-DQ15芯片工作在16位模式下的数据信号线;
A0、A1、A2到A20为芯片工作在16位工作模式下的地址线;
A-1、A0、A1到A20为芯片工作在8位工作模式下的地址线。
其中:
地址线:用来传输地址信息的信号线,如图1中的A0、A1等。
数据线:用来传输数据信息的信号线,如图1中的DQ0-DQ7。
控制信号线:用来传输控制信息的信号线,比如读写选择等信息。
图2为读写系统中FLASH连接方式结构示意图,如图所示,读写系统中的管理系统200和FLASH201通过地址线、读信号线、写信号线、片选信号线连接在一起。其中:
管理系统200完成整个系统的控制,包括发起对FLASH201的读写操作;
FLASH201用于存储系统工作中正常的代码和数据,接受管理系统发送的读写命令。
写信号线:用于当管理系统要对FLASH进行写操作时,将该信号线管脚置为低电平。
写保护管脚203直接连接到高电平,允许管理系统的写操作行为,高电平一般是3.3V的电压,写保护管脚即为图1中的WP管脚。
管理系统200通过串口204输出系统的工作状态。
传统的电子读写系统写FLASH的操作一般存在以下几种情况:
1、升级启动BOOT代码(相当于PC的BIOS);
2、升级主程序(相当于WINDOWS操作系统);
3、记录故障信息(相当于在使用PC出错时,PC记录错误日志);
4、用户设置信息(类似修改BIOS的参数)。
以上四种操作一般只在一定的条件被使用,什么时候调用这些操作理论上是已知的、确定的,但是,由于人为或其他一些客观的原因会导致这些操作被错误的调用,比如由于系统设计人员粗心大意,在某些不该写FLASH的时候调用写FLASH操作,也就是说现有技术中存在的不足在于:写操作也存在着在不该被调用的时候调用的异常情况,而当这些异常情况发生时就有可能导致的系统启动代码和主程序被破坏,进而将导致系统无法正常工作。
发明内容
本发明提供一种对FLASH的写操作进行处理的方法、系统、装置及CPU管理系统,用以解决在异常情况导致系统启动代码和主程序被破坏后进行恢复的问题。
本发明提供了一种FLASH的写操作处理方法,包括如下步骤:
在对FLASH进行写操作前,对FLASH中将要被改写的数据进行备份;
在对FLASH写操作完成后,发起中断请求;
在接到中断请求后,进入中断处理,根据写操作记录对所述写操作进行合法性判断;
在确定所述写操作合法时,退出中断处理,在确定所述写操作非法时,根据备份数据恢复被改写的数据。
本发明还提供了一种FLASH的写操作处理系统,包括管理系统,还包括:
备份模块,用于在对FLASH进行写操作前,对FLASH中将要被改写的数据进行备份;
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