[发明专利]半导体结构

权利要求书

1、一种半导体结构，至少包括：

半导体基底；

介电层，位于所述半导体基底上；

至少一个开口，位于所述介电层中，其中所述半导体基底通过所述至少一个开口而暴露出来；

至少一个半导体带，位于所述介电层上且邻近于所述至少一个开口；

栅极介电层，位于所述至少一个半导体带的表面上；

栅极电极，位于所述栅极介电层上；以及

源极/漏极区域，位于所述至少一个半导体带中且邻近所述栅极电极。

2、根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一个半导体带具有倾斜的上表面，而所述倾斜的上表面的靠近所述至少一个开口的多个部分高于远离所述至少一个开口的多个部分。

3、根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极介电层延伸进入到所述至少一个开口且具有低于所述介电层上表面的底表面，且所述栅极电极从所述至少一个开口的一边延伸横越至所述至少一个开口的相对边。

4、根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还至少包括：

额外半导体带，位于所述介电层上且邻近于所述至少一个开口，其中所述额外半导体带位于与所述至少一个半导体带相对的所述至少一个开口的侧边，其中所述栅极介电层延伸覆盖在所述额外半导体带的上表面与多个侧壁上，其中所述栅极电极延伸覆盖在所述额外半导体带上，而介于所述至少一个半导体带与所述额外半导体带之间的区域用内层介电材料填满；以及

额外源极/漏极区域，位于所述额外半导体带中。

5、一种半导体结构，至少包括：

半导体基底；

介电层，位于所述半导体基底上；

狭缝，位于所述介电层中；

第一半导体带与第二半导体带，位于所述介电层上且邻近所述狭缝，其中所述第一半导体带与所述第二半导体带位于所述狭缝相对的两个侧边，且平行于所述狭缝；

栅极介电带，位于所述第一半导体带与所述第二半导体带的多个上表面与侧壁上，其中所述栅极介电带的长度方向垂直于所述第一半导体带与所述第二半导体带的长度方向；

栅极电极，位于所述栅极介电带上；以及

第一源极/漏极区域与一第二源极/漏极区域，分别位于所述第一半导体带与所述第二半导体带上。

6、根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极介电带的一部分延伸至所述狭缝中，且所述栅极电极的一部分位于所述狭缝中。

7、根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，介于所述第一半导体带与所述狭缝间的距离小于500埃。

8、根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体带具有位于面对所述狭缝的第一侧面上的垂直侧壁，所述第一半导体带还具有位于第二侧面上的倾斜侧壁，所述第二侧面相对于所述第一侧面，且所述倾斜侧壁由所述第一半导体带的最高点延伸至所述介电层的上表面。

9、一种半导体结构，至少包括：

半导体基底；

介电层，位于所述半导体基底上；

半导体带，位于所述介电层上，其中所述半导体带至少包括一垂直侧壁与一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁由所述半导体带的最高点延伸至所述介电层的上表面；

栅极介电层，位于所述半导体带的垂直侧壁与倾斜侧壁的多个部分上；

栅极电极，位于所述栅极介电层上；以及

源极/漏极区域，位于所述半导体带中。

10、根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体带邻近且平行于一狭缝，其中所述狭缝位于所述介电层中且从所述介电层的上表面延伸至底表面，而位于所述狭缝下的所述半导体基底的一部分具有一上表面，所述上表面低于所述介电层的底表面。