[发明专利]电荷再回收的操作方法及其驱动电路和低功率存储器有效

专利信息
申请号: 200710193465.3 申请日: 2007-11-27
公开(公告)号: CN101350220A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 陈重光;洪俊雄 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C8/10 分类号: G11C8/10;G11C8/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电荷 回收 操作方法 及其 驱动 电路 功率 存储器
【权利要求书】:

1.一种电荷再回收的驱动电路,其特征在于,该驱动电路包括:

一第一开关,该第一开关的第一端耦接至一第一电压;

一第一驱动器,包括:

一第二开关,该第二开关的第一端耦接至该第一开关的第二 端,该第二开关的第二端耦接至一第一电容;及

一第三开关,该第三开关的第一端耦接至该第二开关的第二 端;以及

一第二驱动器,包括:

一第四开关,该第四开关的第一端耦接至该第一开关的第二 端,该第四开关的第二端耦接至一第二电容;及

一第五开关,该第五开关的第一端耦接至该第四开关的第二 端;以及

一第六开关,该第六开关的第一端耦接至该第三开关的第二端及 该第五开关的第二端,该第六开关的第二端耦接至该第二电压;

其中,同时打开第二开关及第四开关,利用第二开关及第四开关 所形成的短路回路,达成电荷的再回收。

2.根据权利要求1所述的电荷再回收的驱动电路,其特征在于,

当该第一开关、该第二开关及该第四开关为PMOS晶体管时,该 第三开关、该第五开关及该第六开关为NMOS晶体管,该第一电压为 一预设电压,该第二电压为一地电压;或

当该第一开关、该第二开关及该第四开关为NMOS晶体管时,该 第三开关及该第五开关为PMOS晶体管,该第一电压为一地电压,该 第二电压为一预设电压。

3.一种电荷再回收的操作方法,应用于一驱动电路,该驱动电路 包括:

一第一开关、一第一驱动器以及一第二驱动器,该第一驱动器包 括一第二开关及一第三开关,该第二驱动器包括一第四开关及一第五 开关,其中,该第一开关的第一端耦接至一第一电压,该第二开关与 该第三开关串联连接,该第四开关与该第五开关串联连接,该第二开 关的第一端及该第四开关的第一端耦接至该第一开关的第二端,该第 二开关的第二端耦接至一第一电容,该第四开关的第二端耦接至一第 二电容,该第三开关的第二端及该第五开关的第二端耦接至一第二电 压;

该电荷再回收的操作方法包括:

打开该第一开关、该第三开关及该第四开关,关掉该第二开关及 该第五开关,使得该第一电容的电压电平为该第二电压,且该第二电 容的电压电平为该第一电压;

关掉该第一开关以隔离该第一电压;

关掉该第三开关,再打开该第二开关,第二开关及第四开关同时 打开形成短路回路,使得该第一电容及该第二电容中电压电平较高者 所储存的电荷流向电压电平较低者,直到该第二开关的第二端的电压 电平相等于该第四开关的第二端的电压电平,达成电荷的再回收;

该第四开关被关掉且该第五开关被打开,使得该第二电容的电压 电平趋向该第二电压;

该第一开关被打开,使得该第一电容的电压电平趋向该第一电压。

4.根据权利要求3所述的电荷再回收的操作方法,其特征在于, 该驱动电路进一步包括一第六开关,在该第三开关的第二端与第二电 压之间耦接有第六开关,该第六开关的第一端耦接至该第三开关的第 二端及该第五开关的第二端,且该第六开关被关掉以隔离该第二电压。

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