[发明专利]成膜装置及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括：

利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和

利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述污染物质为金属污染物质。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述金属污染物质包括选自铁、铝、镍、钴、钠和钙中的1种以上的金属。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述含氯气体包括选自氯、氯化氢、二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅烷和三氯化硼中1种以上的气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅中的材料为主要成分。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

将所述第二温度设定为200～700℃。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

将所述第二压力设定为13.3～53332Pa。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述副生成物膜包含选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质作为主要成分，所述第一清洁气体包括卤元素和氢元素。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述第一清洁气体是不含氯的气体，包括选自卤酸性气体、卤元素气体和氢气的混合气体中的1种以上的气体。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

将所述第一温度设定为250～380℃。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

将所述第一压力设定为3.3kPa～59.85kPa。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在停止所述第一和第二清洁气体的供给的状态下，隔着向所述反应室内供给不活泼气体的期间，将所述第一清洁气体的供给转换成所述第二清洁气体的供给。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在所述第一和第二清洁处理之前和之后，进一步包括在所述反应室内，利用CVD在被处理基板上形成选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质的膜的成膜处理，在此，向所述反应室内供给包括含硅气体的第一成膜气体和包括选自氮化气体、氧化气体和氮氧化气体中的气体的第二成膜气体。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，

所述第一成膜气体包括含有硅和氯的气体，也能够作为所述第二清洁气体使用。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，

所述第一成膜气体包括选自二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷和三氯硅烷中的1种以上的气体。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，

将所述成膜处理的处理压力P0设定为13.3～1333Pa，将所述第一压力P1设定为3.3kPa～59.85kPa，将所述第二压力P2设定为13.3～53332Pa。