[发明专利]用于执行OPC验证的方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及光刻，并且更特别地涉及用于在光刻中使用的对光掩膜的验证。

背景技术

光掩膜和掩膜版(以下称“光掩膜”或“掩膜”)在光刻中和曝光辐射源一起使用以在诸如光刻胶之类的感光膜上投射图像。掩膜典型地是部分透明和部分不透明的，通常具有其上带有限定不透明构图的铬金属构图的透明石英衬底。掩膜的设计是一个复杂的工艺。为了正确地对感光膜进行构图，掩膜的不透明特征需要看起来与预定要在感光膜中达到的构图不同。出现这种情况是因为必须补偿在对邻近特征进行光刻曝光时的光学邻近效应。作为光学邻近效应的示例，掩膜上的线在印刷到感光膜上时看起来更短，并且当出现在经曝光的感光膜上时，单独的线(与其他相邻特征不接近的特征)的宽度倾向于缩短。另一方面，“嵌套的”线，也就是位于其他邻近的线之间的线，并不倾向于与单独的线缩短得同样多。

用于验证用于光刻工艺的掩膜或掩膜板的现有技术可以变成计算密集的，特别是在需要针对边际曝光条件也就是非最佳焦点和剂量条件来验证掩膜时。验证掩膜的工艺包括确定掩膜上的形状是否会在感光层中产生期望的曝光构图。由于半导体芯片现在能在每个芯片中包含数以亿计的晶体管，完全验证光掩膜所需要的处理可能会花上几天甚至几周来执行，即使是在把大部分计算资源都用于该任务时。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种用于执行光学邻近效应修正(“OPC”)验证的方法，其中使用与光掩膜形状、要使用光掩膜获得的空间图像或要使用光掩膜在感光层获得的光刻胶图像相关的数据来识别光掩膜的受关注特征。识别包含所识别的受关注特征的光掩膜、空间图像或光刻胶图像的多个区域，其中多个所识别的区域占用基本上比特征所占用的光掩膜的整个区域更小的区域。然后，执行限于多个所识别的区域的增强的OPC验证以识别光掩膜、空间图像或光刻胶图像中至少一个所存在的问题。

根据本发明的其他方面，提供了一种可操作为执行这种方法的信息处理系统以及一种其上记录有可执行为执行这种方法的指令的计算机可读记录介质。

附图说明

图1A是示出了根据本发明一个实施例的用于执行增强的OPC验证的对区域进行窗口化的方法的流程图。

图1B是模拟光线强度相对于仿真空间图像距离的关系的曲线图。

图2是示出了根据本发明一个实施例的在执行增强的OPC验证时识别错误的方法的流程图。

图3A是示出了根据本发明一个实施例的在执行OPC验证时连同形状一起利用的一组切割线的布置和数据点的示图。

图3B是示出了根据本发明一个实施例的在执行增强的OPC验证时连同形状一起利用的一组切割线的布置和数据点的示图。

图3C是示出了根据本发明一个实施例的在执行增强的OPC验证时连同形状一起利用的一组切割线的布置和数据点的示图。

图4是示出了与图像形状有关的所识别的受关注特征的示图。

图5是示出了根据本发明一个实施例对用于限定区域的边界框的绘制的示图，在该区域中要执行增强的OPC验证工艺。

图6是示出了对边界框外部的特征的丢弃的示图，该边界框限定了要执行增强的OPC验证工艺的区域。

图7是示出了用于将增强的OPC验证工艺限于位于边界框之内的特征部分的步骤的示图。

图8是示出了根据本发明一个实施例的可操作为执行OPC验证工艺的信息处理系统的结构图。

具体实施方式

这里所描述的本发明的实施例提供了执行OPC验证的改进方式。这里提供的方法期望能用于减小验证用于对感光层进行构图的掩膜设计所需要的计算复杂度。根据本发明的实施例，使用小于最高程度的计算强度的验证工艺，掩膜设计的区域中有很大一部分都被验证为是令人满意的。初始地，可以针对整个掩膜来执行计算强度更小的验证工艺以确定问题的存在，并且它可以也识别其他受关注项。针对在其中识别受关注项的掩膜设计的这种区域执行增强的OPC验证。作为替代，可以只在掩膜的部分区域中或者针对掩膜的部分特征执行强度更小的工艺，其中这些区域或特征或这两者被认为是相对来说不存在问题的。