[发明专利]圆片级MEMS微流道的制造方法

权利要求书

1.一种圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，利用微加工工艺在双面抛光Si圆片上制造微流道图形结构，第二步，将上述Si圆片与相同尺寸的Pyrex7740玻璃圆片在小于1Pa的压力下进行密封键合使微流道图形结构密封形成密封真空腔体，

第三步，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热至800～890℃，保温3～5min，所述密封真空腔体内、外压差使软化后的玻璃形成与上述微流道图形结构相应的结构，冷却到20-25℃，将上述圆片在常压下退火消除应力，第四步，将上述经过退火的圆片的玻璃面与另一抛光Si圆片或玻璃圆片进行键合，形成圆片级的MEMS微流道。

2.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于所述微加工工艺为湿法腐蚀工艺或者干法腐蚀工艺。

3.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于第二步中所述密封键合工艺为阳极键合工艺，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。

4.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于第三步中所述热退火的工艺条件为：退火温度范围在510℃～560℃中，退火保温时间为30min，然后缓慢风冷至常温。

5.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于，第四步中所述键合采用粘合剂键合，粘合剂为玻璃浆料、聚酰亚胺、苯并环丁烯、全氟磺酸树脂、聚对二甲苯、SU-8胶中的一种。

6.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于，第二步中的加热温度为840℃～850℃。

7.根据权利要求1所述的圆片级MEMS微流道的制造方法，其特征在于，第四步中所述键合采用阳极键合工艺，工艺条件为：温度400℃，电压：600V。