[发明专利]具有环形顶终端底电极的存储装置及其制作方法

权利要求书

1.一种存储单元，包含一存储材料，可利用施加能量在电性状态之间切换，其特征在于，该存储单元包含：

一底电极，包含一第一下方部分，以及一第二上方部分，该第二上方部分具有一环形顶终端；

一顶电极；以及

一存储组件，该存储组件位于该顶电极与该底电极的该环形顶终端之间，同时与该顶电极与该底电极的该环形顶终端具有电性接触。

2、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该第二上方部分的环形顶终端为一连续环形组件。

3、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该第二上方部分的环形顶终端在该存储组件上具有一边墙，该边墙厚度为2～10nm。

4、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该环形顶终端围绕一非导体中央区域。

5、根据权利要求4所述的存储单元，其特征在于，该非导体中央区域包含一第一介电材料，该非导体中央区域受到一第二介电材料所包围。

6、根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，该第一介电材料与第二介电材料具有不同的刻蚀性质。

7、根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，该存储组件包含一可编程电阻存储材料。

8、一种制作存储装置的方法，该存储装置包含一存储材料可利用施加能量在电性状态之间切换，其特征在于，该方法包含：

提供一存储单元存取层，该存储单元存取层具有一顶表面与一导电组件；

形成一介电/电极堆栈于该导电组件之上，该介电/电极堆栈包含一在该导电组件之上的介电间隙组件；

建立一底电极结构于该介电/电极堆栈之上，包含：

形成一底电极，该底电极包含一第一下方部分，以及一第二上方部分，该第二上方部分具有一围绕该介电间隙层组件的环形顶终端；以及

形成一介电侧壁子，以围绕该底电极的该第二上方部分；

形成一存储组件于该环形顶终端之上；以及

形成一顶电极于存储组件之上。

9、根据权利要求8所述的制作存储装置的方法，其特征在于，在形成该介电/电极堆栈的步骤之前，包含：

形成一第一电极材料层于该顶表面之上；

形成一第一介电材料层于该第一电极材料层之上；

形成一掩膜于该第一介电材料与电极材料层之上；

去除未被该掩膜所覆盖的该第一介电材料层与该第一电极材料层部分；以及

去除该掩膜。

10、根据权利要求8所述的制作存储装置的方法，其特征在于，在建立该底电极结构的步骤，进一步包含：

覆盖一第二电极材料层于该介电/电极堆栈之上；

覆盖一第二介电材料层于该第二电极材料层之上；以及

去除部份的该第二介电材料层与该第二电极材料层部分，其中该介电侧壁子是由留下的该第二介电材料层的部分所形成。

11、根据权利要求9所述的制作存储装置的方法，其特征在于，该形成掩膜的步骤，使该掩膜具有一侧向尺寸，该侧向尺寸小于制作掩膜制作工艺的最小特征尺寸。

12、根据权利要求9所述的制作存储装置的方法，其特征在于，形成该掩膜的步骤是利用一光刻制作工艺以及接续的一刻蚀制作工艺，由此该掩膜具有一侧向尺寸，该侧向尺寸小于形成该掩膜的该光刻制作工艺的最小光刻特征尺寸。

13、根据权利要求8所述的制作存储装置的方法，其特征在于，在建立该底电极结构的步骤，由此所形成该环形顶终端具有一边墙厚度，该边墙厚度为2～10nm。

14、根据权利要求10所述的制作存储装置的方法，其特征在于，去除部份的该第二介电材料层与该第二电极材料层部分的步骤，包含一刻蚀步骤以及后续的一平面化步骤，同时更进一步包含选择与该第二介电材料层相异的该第一介电材料层，使该该第一介电材料层与该第二介电材料层可在该刻蚀步骤中具有不同的刻蚀特性。