[发明专利]非流动、下装填方式的倒装片安装方法有效
申请号: | 200710188209.5 | 申请日: | 2007-11-09 |
公开(公告)号: | CN101211802A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 植村成彦;中村昭广;森高志;松本博文 | 申请(专利权)人: | 日本梅克特隆株式会社 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 流动 装填 方式 倒装 安装 方法 | ||
技术领域
本发明涉及非流动、下装填方式的倒装片安装方法,特别涉及在基板上事先涂敷高度充填有填料的树脂,装上半导体时,可靠地使隆起焊盘接触到基板的焊径(パツド)电极上,高可靠性且可回流锡焊的、具备高度控制功能的非流动、下装填方式的倒装片安装方法。
背景技术
近年来,随着电子设备的小型化,从节省空间和提高电子性能等方面考虑,通过倒装片安装方法将半导体装到基板上的做法被广泛应用。倒装片安装方法,是指在位于半导体芯片里面的端子电极上设置被称为隆起焊盘的突起状电极,通过上述隆起焊盘使设置于基板上的焊径电极固定、导通。
上述隆起焊盘,虽然由焊料材料等形成,但是因接合面积小,安装强度往往不足,另外,还有由基板和半导体的热膨胀率差异等引发的变位,由机械冲击、热冲击引起的上述隆起焊盘离开焊径电极的危险。因此,为了提高接合强度,在上述隆起焊盘通过热熔接接合到基板的焊径电极后,在半导体和基板之间的空隙内流入环氧系的树脂,进行使其加热硬化的下装填处理。
但是,上述下装填处理,需要分别对锡焊引起的电极间的连接、树脂的硬化进行加热处理,因加热工序多而造成成本高。另外,从半导体和基板之间的间隙的侧方流入树脂的作业性恶化,还需要用于流入的空间,不利于电子器械的小型化。
为了克服这个不利点,提出下述非流动、下装填方式的倒装片安装方法:先向基板涂布树脂,之后,通过将带有隆起焊盘的半导体按压到基板上,挤开先行涂布的树脂,使隆起焊盘和焊径电极接触,在该状态下加热,由此电极间的连接和树脂的硬化在一次加热工序中进行(例如,参照专利文献1)。
在此,在下装填处理或者非流动、下装填处理中使用的环氧系树脂中,混入被称做充填料的氧化铝、氧化硅等的粉末,提高树脂的强度。在下装填处理中,因在隆起焊盘接合到焊径电极之后流入树脂,所以充填料不会造成不良影响。
但是,在非流动、下装填处理中,如图7所示,因仅凭半导体50的自重使隆起焊盘51接触到基板52的焊径电极53,混入在树脂54里的充填料55被夹在隆起焊盘51和焊径电极53之间,隆起焊盘51和焊径电极53之间产生间隙。在非流动、下装填处理中,因电极间的连接和树脂的硬化在同一加热工序中进行,所以隆起焊盘51和焊径电极53之间如果有间隙,这个间隙由树脂54堵塞,则不能导通电流。
如图8所示,如果由重锤56等强制地将半导体50向基板52按压,充填料55被挤出,或者,一边卷入充填料55,一边确保隆起焊盘51和焊径电极53的电流的导通。但是,在这个状态下,如果进行回流锡焊,隆起焊盘51向焊径电极53热熔着后,因重锤56的重量继续作用,有发生隆起焊盘51压坏,或者从焊径电极53露出,发生电流短路的危险。
在非流动、下装填处理中,作为使用重锤的构成,可以获知:在基板的上面涂布含有球状粒子的树脂,使该球状粒子配置到基板的焊径电极间的领域,在半导体的上部载置重锤,在那样的状态下进行回流锡焊的装置和方法(例如,参照专利文献2)。
专利文献1日本特开平10-125724号公报
专利文献2日本特开2001-53109号公报
发明内容
专利文献1记载的发明,先向基板涂布树脂,因电极间的连接和树脂的硬化在一次的加热工序中进行,可以通过工序的简单化降低成本。但是,如图7所示,混入在树脂里的充填料被夹在隆起焊盘和焊径电极之间,有导致电流不能导通的危险。混入树脂内的充填料少,或者一点儿都不混入,虽然能消除由充填料的夹入而导致的不佳状况,但是树脂的强度降低,有发生隆起焊盘破坏的危险。
专利文献2记载的发明,由重锤挤出充填料,或者,卷入充填料,在确保隆起焊盘和焊径电极的电流导通的同时,通过向树脂中混入球状粒子,使半导体和基板之间的间隙保持在规定的尺寸。但是,球状粒子不一定正确地配置在基板的焊径电极间的领域内,重锤有发生位置偏离的危险。
因此,在本发明的非流动、下装填方式的倒装片安装方法中,在基板上事先涂敷高度充填有填料的树脂,装上半导体,此时,可靠地使隆起焊盘接触到基板的焊径电极上,以高可靠性且可回流锡焊作为目的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本梅克特隆株式会社,未经日本梅克特隆株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710188209.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:烯烃生产方法
- 下一篇:套类或管类零件的专用加工刀具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造