[发明专利]一种SiC木质陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710188167.5 申请日: 2007-11-13
公开(公告)号: CN101434486A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 严自力;马天;张建春 申请(专利权)人: 中国人民解放军总后勤部军需装备研究所
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人: 王明霞
地址: 100082*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 木质 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种SiC木质陶瓷的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:

(1)对木质原料进行预处理;

(2)将经上述预处理的木质原料进行压缩;

(3)将经上述压缩的木质原料进行碳化得到碳模板;

(4)将上述所得的碳模板进行渗硅得到SiC木质陶瓷。

2、根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的压缩为将木质原料压缩至密度0.6—1.2g/cm3

3、根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述的压缩为单轴压缩、双轴压缩或等静压压缩。

4、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的碳化为将压缩的木质原料放入碳化炉中,以0.1—10℃/min的升温速度对其进行碳化,在500—1800℃的高温下保温2-5小时,得到具有网络多孔特征的碳模板。

5、根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述的预处理为水热处理、密闭加热处理或微波加热处理。

6、根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的渗硅为液相渗硅或气相渗硅。

7、根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的渗硅为在温度1350—1800℃、真空度0.01—100Pa的条件下渗硅0.2—2h。

8、根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述的木质原料为针叶树材、阔叶树材或含有木质素的材料。

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