[发明专利]一种SiC木质陶瓷的制备方法无效
| 申请号: | 200710188167.5 | 申请日: | 2007-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN101434486A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
| 发明(设计)人: | 严自力;马天;张建春 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总后勤部军需装备研究所 |
| 主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王明霞 |
| 地址: | 100082*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 sic 木质 陶瓷 制备 方法 | ||
1、一种SiC木质陶瓷的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
(1)对木质原料进行预处理;
(2)将经上述预处理的木质原料进行压缩;
(3)将经上述压缩的木质原料进行碳化得到碳模板;
(4)将上述所得的碳模板进行渗硅得到SiC木质陶瓷。
2、根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的压缩为将木质原料压缩至密度0.6—1.2g/cm3。
3、根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述的压缩为单轴压缩、双轴压缩或等静压压缩。
4、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的碳化为将压缩的木质原料放入碳化炉中,以0.1—10℃/min的升温速度对其进行碳化,在500—1800℃的高温下保温2-5小时,得到具有网络多孔特征的碳模板。
5、根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述的预处理为水热处理、密闭加热处理或微波加热处理。
6、根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述的渗硅为液相渗硅或气相渗硅。
7、根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述的渗硅为在温度1350—1800℃、真空度0.01—100Pa的条件下渗硅0.2—2h。
8、根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述的木质原料为针叶树材、阔叶树材或含有木质素的材料。
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