[发明专利]垂直磁性记录介质和使用它的磁性存储设备

权利要求书

1.一种垂直磁性记录介质，包括：

按顺序在基片上层叠的底层、中间层、记录层及保护层，

其中，所述记录层包括一个包括主要由钴组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界的层，

其中，所述记录层的氧含量沿膜厚度方向变化，在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的氧含量比在所述记录层中心附近的区域中的氧含量低，并且在所述记录层与所述保护层之间的界面附近的区域中的氧含量比在所述记录层中心附近的区域中的氧含量低。

2.一种垂直磁性记录介质，包括：

按顺序在基片上层叠的底层、中间层、记录层及保护层，

其中，所述记录层包括一个包括主要由钴组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界的层，并且

其中，在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中，所述氧含量从与所述中间层的界面到所述保护层侧增加，并且在所述记录层与所述保护层之间的界面附近的区域中，所述氧含量从与所述保护层的界面到所述中间层侧增加。

3.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层包含铬，在所述记录层中的铬含量沿所述膜厚度方向变化，并且

在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的所述铬含量高于在所述记录层中心附近的区域中的所述铬含量。

4.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质，其中

所述中间层包括与所述记录层邻近地形成的层，并且包括主要由钌组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界。

5.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层包含铂，并且在所述记录层中的铂含量沿所述膜厚度方向变化，

在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的铂含量比在所述记录层中心附近区域中的铂含量低，及

在所述记录层与所述中间层的界面附近的区域与在所述记录层中心附近的区域之间形成非磁性层。

6.根据权利要求1所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层具有在所述膜平面中周期性地定界的不连续结构。

7.根据权利要求2所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层包含铬，

在所述记录层中的铬含量沿所述膜厚度方向变化，及

在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的铬含量高于在所述记录层中心附近的区域中的铬含量。

8.根据权利要求2所述的垂直磁性记录介质，其中

所述中间层包括与所述记录层邻近地形成的层，并且包括主要由钌组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界。

9.根据权利要求2所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层包含铂，并且所述记录层的铂含量沿所述膜厚度方向变化，

在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的铂含量比在所述记录层中心附近区域中的铂含量低，及

在所述记录层与所述中间层的界面附近的区域与在所述记录层中心附近的区域之间形成非磁性层。

10.根据权利要求2所述的垂直磁性记录介质，其中

所述记录层具有在所述膜平面中周期性地定界的离散结构。

11.一种磁性存储设备，包括：

磁性记录介质；

用来在记录方向上驱动所述磁性记录介质的装置；

磁头，包括记录单元和读取元件；

相对于所述垂直磁性记录介质驱动所述磁头的装置；及

信号处理单元，处理来自所述磁头的输入信号和到所述磁头的输出信号，

其中，所述磁性记录介质包括基片，底层、中间层、记录层及保护层按顺序层叠在所述基片上，所述记录层包括一个包括主要由钴组成的晶粒和主要由氧化物组成的晶粒边界的层，并且

其中，所述记录层的氧含量沿所述膜厚度方向变化，在所述记录层与所述中间层之间的界面附近的区域中的氧含量比在所述记录层中心附近的区域的氧含量低，并且在所述记录层与所述保护层之间的界面附近的区域中的氧含量比在所述记录层中心附近的区域的氧含量低。