[发明专利]存储单元及其制造方法

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

电阻性结构；

耦接至所述电阻性结构的至少两个电极；以及

至少一个蓄氢结构，

其中向所述至少两个电极之一施加电信号使得所述电阻性结构的电阻通过改变该电阻性结构中的氢离子浓度而被改变。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述电极中的至少一个和/或所述电阻性结构至少部分地嵌入在所述蓄氢结构中。

3.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述蓄氢结构与所述电极中的至少一个整体地设置。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述电极中的至少一个可以渗透氢。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述电极中的至少一个包括用于将所述电极耦接至所述电阻性结构的耦接层，所述耦接层包括吸收至少0.1重量百分比的氢的材料。

6.根据权利要求5所述的存储单元，其中所述耦接层包括下述材料之一：钯、铱、铑、氢化物和含氢合金。

7.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述蓄氢结构包括第一电介质材料。

8.根据权利要求7所述的存储单元，其中所述第一电介质材料包括下述材料之一：臭氧四乙氧基甲硅烷TEOS、过渡金属氧化物、金属氢氧化物和沸石。

9.根据权利要求1所述的存储单元，其中所述电阻性结构包括过渡金属氧化物。

10.一种非易失性存储器，包括至少一个如权利要求1所述的存储单元。

11.一种非易失性存储器，包括至少两个如权利要求1所述的存储单元，其中将所述蓄氢结构设置为由所述至少两个存储单元共享。

12.一种制造存储单元的方法，包括步骤：

步骤S1，提供电阻性结构；

步骤S2，将至少两个电极耦接至所述电阻性结构；以及

步骤S3，提供至少一个蓄氢结构。

13.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中在提供至少一个蓄氢结构的步骤中，所述电极中的至少一个和/或所述电阻性结构至少部分地嵌入在所述蓄氢结构中。

14.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中在提供至少一个蓄氢结构的步骤中，所述蓄氢结构与所述电极中的至少一个整体地设置。

15.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中所述电极中的至少一个选择为能够渗透氢。

16.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中所述电极中的至少一个包括用于将所述电极耦接至所述电阻性结构的耦接层，所述耦接层包括吸收至少0.1重量百分比的氢的材料。

17.根据权利要求16所述的制造存储单元的方法，其中所述耦接层选择为包括下述材料之一：钯、铱、铑、氢化物和含氢合金。

18.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中所述蓄氢结构选择为包括第一电介质材料。

19.根据权利要求18所述的制造存储单元的方法，其中所述第一电介质材料选择为包括下述材料之一：臭氧四乙氧基甲硅烷TEOS、过渡金属氧化物、金属氢氧化物和沸石。

20.根据权利要求12所述的制造存储单元的方法，其中所述电阻结构选择为包括过渡金属氧化物。