[发明专利]用于设计掩模的方法和设备有效
| 申请号: | 200710186634.0 | 申请日: | 2007-11-14 |
| 公开(公告)号: | CN101192252A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
| 发明(设计)人: | I·格罗尔;Z·鲍姆;S·M·曼斯费尔德;L·W·利布曼 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 设计 方法 设备 | ||
1.一种用于设计掩模的方法,包括以下步骤:
提供包括层次设计单元的多个实例的配置的设计版图,所述层次设计单元包括将着色的未着色的形状;
在所述层次设计单元内局部着色所述未着色的形状以形成局部着色的设计单元;
在所述局部着色的设计单元上进行光学邻近校正(OPC)以形成OPC修改的层次设计单元;
丢弃所述OPC修改的设计单元的所述局部着色以形成未着色的OPC修改的层次设计单元;
配置所述未着色的OPC修改的设计单元以根据所述配置形成修改的设计版图;以及
全局着色所述修改的设计版图。
2.根据权利要求1的方法,还包括在局部着色的所述步骤之前全局着色所述设计版图以形成全局着色信息,并根据所述全局着色信息进行全局着色所述修改的设计版图的所述步骤。
3.根据权利要求1的方法,还包括在局部着色的所述步骤之前检验所述设计版图具有清洁着色解。
4.根据权利要求1的方法,其中所述设计版图选自交替相移掩模设计、双-曝光掩模设计以及双-曝光-蚀刻掩模设计。
5.根据权利要求1的方法,其中所述设计版图包括交替相移掩模设计以及所述层次设计单元包括关键特征和在所述关键特征的相对侧上的未着色的相位形状的对。
6.根据权利要求1的方法,还包括形成包括将通过OPC修改的形状的OPC子处理单元,所述子处理单元还包括在包围将通过OPC修改的所述形状的边界外部的光学影响的区域。
7.根据权利要求6的方法,还包括在进行OPC的所述步骤之后丢弃所述光学影响的区域。
8.一种用于设计掩模的设备,包括:
装置,用于提供包括层次设计单元的多个实例的配置的设计版图,所述层次设计单元包括将着色的未着色的形状;
装置,用于在所述层次设计单元内局部着色所述未着色的形状以形成局部着色的设计单元;
装置,用于在所述局部着色的设计单元上进行光学邻近校正(OPC)以形成OPC修改的设计单元;
装置,用于丢弃所述OPC修改的设计单元的所述局部着色以形成未着色的OPC修改的层次设计单元;
装置,用于配置所述未着色的OPC修改的层次设计单元以根据所述配置形成修改的设计版图;以及
装置,用于全局着色所述修改的设计版图。
9.根据权利要求8的设备,还包括这样的装置,所述装置用于在局部着色之前全局着色所述设计版图以形成全局着色信息的装置,并根据所述全局着色信息进行全局着色所述修改的设计版图的所述步骤。
10.根据权利要求8的设备,还包括用于在局部着色之前检验所述设计版图具有清洁着色解的装置。
11.根据权利要求8的设备,其中所述设计版图选自交替相移掩模设计、双-曝光掩模设计和双-曝光-蚀刻掩模设计。
12.根据权利要求8的设备,其中所述设计版图包括交替相移掩模设计以及所述层次设计单元包括关键特征和在所述关键特征的相对侧上的未着色的相位形状。
13.根据权利要求8的设备,还包括用于形成包括将通过OPC修改的形状的OPC子处理单元的装置,所述子处理单元还包括在包围将通过OPC修改的所述形状的边界外部的光学影响的区域。
14.根据权利要求13的设备,还包括用于在进行OPC之后丢弃所述光学影响的区域的装置。
15.一种用于制造集成电路的方法,包括以下步骤:
提供包括层次设计单元的多个实例的配置的设计版图,所述层次设计单元包括将着色的未着色的形状;
在所述层次设计单元内局部着色所述未着色的形状以形成局部着色的设计单元;
在所述局部地着色的设计单元上进行光学邻近校正(OPC)以形成OPC修改的设计单元;
丢弃所述OPC修改的设计单元的所述局部着色以形成未着色的OPC修改的层次设计单元;
配置所述未着色的OPC修改的设计单元以根据所述配置形成修改的设计版图;
全局着色所述修改的设计版图;
制造包括所述修改的设计版图的掩模;以及
使用所述掩模构图衬底。
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