[发明专利]嵌入式电阻元件

说明书

技术领域

本发明是关于嵌入式电阻元件，且更明确地说是关于具有改良射频(RF)效能的嵌入式电阻元件。

背景技术

电阻器已广泛用于诸如限流电路、电压调节器及终止阻抗控制器的电路中。可利用诸如表面黏着技术(SMT)的相对复杂的制造工艺而将一些电阻器安装于电路板上，此种制造工艺可能大量占用电路板上的面积。为了减缩电阻器的尺寸，已开发了嵌入式电阻元件，其可通过电阻涂布技术形成。图1所示为一现有嵌入式电阻元件100的横截面图。如图1所示，嵌入式电阻元件100可包括一涂布于一介电层104上的电阻材料102，介电层104可形成于一接地面106上。电阻材料102可包括电连至接地面106的一端及电连至一作为单端口嵌入式电阻元件100的一端子的导体的另一端。然而，因为在一电路板的电路印刷期间可能出现误差且涂布材料中可能存在缺陷，所以可能需要一校准过程以用于调整嵌入式电阻元件100的电阻。该校准过程可通过一激光机执行且可能会增加制造成本。

此外，因为嵌入式电阻元件100可包括通过不同制造工艺制造的不同层中的不同种类的材料，所以寄生效应可能会出现在诸如电阻材料102与接地面106之间。所述的这些寄生效应可能会使嵌入式电阻元件100的电气特性恶化。此外，寄生效应可随嵌入式电阻元件100的操作频率而增强。在射频应用中，阻抗的需求可能在数百至数千欧姆。然而，寄生效应可将现有嵌入式电阻元件100的实际阻抗减少至几至几十欧姆。图2所示为图1中嵌入式电阻元件100在数种频率下的阻抗大小。如图2所示，阻抗可随操作频率的增加而减少。在诸如射频(RF)电路的一些应用中，嵌入式电阻元件100可能因阻抗的急剧减少而可能无法被接受。

已提议许多嵌入式电阻元件结构以提供改良的频率效能。举例而言，Dunn等人的发明名称为“Polymer Thick Film Resistor，Layout Cell，andMethod，”的美国专利第7,038,571号及Kaltenecker的发明名称为“ResistorHaving Geometry for Enhancing Radio Frequency Performance”的美国专利第5,420,562号描述了一些嵌入式电阻元件结构。然而，现有元件在相对高的操作频率下往往无法提供相对高的阻抗或不适于具有相对大的长度/宽度比的设计。因此，亟需可提供改良的频率效能的嵌入式电阻元件。

发明内容

针对上述现有元件在相对高的操作频率下往往无法提供相对高的阻抗或不适于具有相对大的长度/宽度比的设计。本发明提供提供一种改良的频率效能的嵌入式电阻元件。

本发明的实例可包括一种嵌入式电阻元件，其包含：一电阻器；一接地面，其位于该电阻器的第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端，在该接地面处提供有一孔；一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之间；一电性连接至电阻器的一不同于电阻器的该第一端的第二端且部分地环绕电阻器的导线，该导线被用作一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助物且用以提供嵌入式电阻元件在该导线处的一端子；一导电区域，其位于接地面的一不同于电阻器的第一侧的第二侧附近；一第二介电层，其存在于接地面与该导电区域之间；及一导电路径，其穿过该孔而将导线电性连接至导电区域。

本发明的一些实例亦可包括一种嵌入式电阻元件，其包含：一电阻器；一接地面，其位于该电阻器的第一侧附近且电性连接至电阻器的一第一端，在该接地面处提供有复数个孔；一第一介电层，其存在于电阻器与接地面之间；一电性连接至电阻器的一不同于电阻器的该第一端的第二端且部分地环绕电阻器的导线，该导线作为一用于支持电阻器的电阻涂布制造工艺的辅助物且用以提供嵌入式电阻元件在该导线处的一端子；一导电区域，其位于接地面的一不同于电阻器的第一侧的第二侧附近；一第二介电层，其存在于接地面与该导电区域之间；及复数个导电路径，其穿过该复数个孔而将导线电性连接至导电区域。