[发明专利]高表面质量的GaN晶片及其生产方法

权利要求书

1.用CMP浆料化学机械抛光(CMP)Al_xGa_yIn_zN晶片Ga-侧的方法，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，所述CMP浆料含有：

研磨用无定形二氧化硅颗粒，其颗粒大小小于200nm；

至少一种酸；和

选择地含有至少一种氧化剂；

其中CMP浆料的pH值在大约0.5-大约4的范围内。

2.权利要求1的方法，其中所述CMP浆料含有发烟二氧化硅，其颗粒大小在大约10nm-大约100nm的范围内。

3.权利要求1的方法，其中所述CMP浆料含有胶体二氧化硅，其颗粒大小在大约10nm-大约100nm的范围内。

4.权利要求1的方法，其中所述CMP浆料含有氧化剂。

5.权利要求4的方法，其中的氧化剂包括过氧化氢。

6.权利要求4的方法，其中的氧化剂包括二氯异氰尿酸。

7.权利要求1的方法，其中的CMP浆料的pH值在大约0.6-大约3的范围内。

8.权利要求1的方法，其中的CMP浆料的pH值在大约0.8-大约2.5的范围内。

9.权利要求1的方法，其中的CMP浆料在传输给抛光垫之前进行过滤，以除去直径大于100nm的颗粒。

10.用CMP浆料将Al_xGa_yIn_zN晶片Ga-侧化学机械抛光(CMP)的方法，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，所述CMP浆料含有：

研磨用胶体氧化铝颗粒，其颗粒大小小于200nm；

至少一种酸；和

选择地含有至少一种氧化剂；

其中CMP浆料的pH值在大约3-大约5的范围内。

11.权利要求10的方法，其中的CMP浆料含有胶体氧化铝，其颗粒大小在大约10nm-大约100nm的范围内。

12.权利要求10的方法，其中的CMP浆料含有氧化剂。

13.权利要求12的方法，其中的氧化剂包括过氧化氢。

14.权利要求12的方法，其中的氧化剂包括二氯异氰尿酸。

15.权利要求10的方法，其中的CMP浆料的pH值在大约3-大约4的范围内。

16.权利要求10的方法，其中的CMP浆料在传输给抛光垫之前进行过滤，以除去直径大于100nm的颗粒。

17.用CMP浆料将Al_xGa_yIn_zN晶片Ga-侧化学机械抛光(CMP)的方法，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，所述CMP浆料含有：

无定形二氧化硅颗粒，其颗粒大小小于200nm；

至少一种碱；和

选择地含有至少一种氧化剂；

其中CMP浆料的pH值在大约8-大约13.5的范围内。

18.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有发烟二氧化硅，其颗粒大小在大约10nm-大约100nm的范围内。

19.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有胶体二氧化硅，其颗粒大小在大约10nm-大约100nm的范围内。

20.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有的碱选自氨、烷醇胺和氢氧化物。

21.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有氨。

22.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有烷醇胺。

23.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有选自KOH和NaOH的氢氧化物。

24.权利要求17的方法，其中的CMP浆料含有氧化剂。

25.权利要求24的方法，其中的氧化剂包括过氧化氢。

26.权利要求24的方法，其中的氧化剂包括二氯异氰尿酸。