[发明专利]半导体器件的电压控制设备

权利要求书

1.一种设备，包括二极管单元，其中该二极管单元被配置为用于正电荷泵送和负电荷泵送。

2.如权利要求1所述的设备，其中该二极管单元包括至少两个串联的二极管，其中对于正电荷泵送和负电荷泵送，经过所述至少两个串联的二极管的电荷泵送方向不同。

3.如权利要求2所述的设备，还包括泵开关，其中该泵开关基于正电荷泵送操作或负电荷泵送操作选择经过所述至少两个二极管的电荷泵送方向。

4.如权利要求3所述的设备，其中该泵开关包括多个晶体管。

5.如权利要求1所述的设备，还包括调节器，其中该调节器调节正电荷泵送和负电荷泵送中的电压电平。

6.如权利要求5所述的设备，其中该调节器包括：

至少一个操作放大器；

至少一个晶体管；和

至少一个电阻。

7.如权利要求1所述的设备，还包括电容器单元，其中在正电荷泵送和负电荷泵送中均使用该电容器单元。

8.如权利要求7所述的设备，其中：

该电容器单元包括至少两个电容器；和

所述至少两个电容器中的每一个连接至所述至少两个二极管中不同二极管的输出端。

9.如权利要求1所述的设备，还包括时钟单元，其中：

该时钟单元包括两个时钟信号；和

所述两个时钟信号异相180度。

10.一种设备，包括：

第一电压输入/输出端和第二电压输入/输出端；

电压升压器，其从所述第一电压输入/输出端和所述第二电压输入/输出端中的一个接收电压，以及从所述第一电压输入/输出端和所述第二电压输入/输出端中的另一个输出升高的电压；

输出选择器，其从所述电压升压器接收升高的电压，并选择输出正电压或负电压的其中任一电压；和

电压调节器，其从所述电压升压器接收升高的电压，并调节所输出的电压。

11.如权利要求10所述的设备，其中：

在正电荷泵送操作期间，所述第一电压输入/输出端接收正电源电压VDD，并且所述第二电压输入/输出端输出泵送正电荷的电压；和

在负电荷泵送操作期间，所述第二电压输入/输出端接收负电源电压VSS，并且所述第一电压输入/输出端输出泵送负电荷的电压。

12.如权利要求10所述的设备，其中所述电压升压器包括：

二极管单元，电连接至所述第一电压输入/输出端和所述第二电压输入/输出端；

电容器单元，电连接至所述二极管单元；和

时钟单元，电连接至所述二极管单元和所述电容器单元。

13.如权利要求12所述的设备，其中：

所述二极管单元串联在所述第一电压输入/输出端和所述第二电压输入/输出端之间；和

所述电容器单元与所述二极管单元并联。

14.如权利要求12所述的设备，其中：

所述时钟单元包括第一时钟信号和第二时钟信号，其中所述第一时钟信号和所述第二时钟信号异相180度；和

所述电容器单元中的各电容器均连接至所述第一时钟信号和所述第二时钟信号其中之一，其中相邻的电容器分别连接至所述第一时钟信号和所述第二时钟信号中不同的时钟信号。

15.如权利要求10所述的设备，其中所述输出选择器包括泵开关，所述泵开关选择输出正高电压或负高电压。

16.如权利要求15所述的设备，其中：

所述泵开关包括第一NMOS晶体管，其中所述第一NMOS晶体管的栅极连接至所述第一电压输入/输出端，并且VSS连接至所述第一NMOS晶体管的源极/漏极；和

所述泵开关包括第一PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的栅极连接至所述第一电压输入/输出端，并且VDD连接至所述第一PMOS晶体管的源极/漏极。

17.如权利要求15所述的设备，其中所述泵开关包括第二NMOS晶体管，其中所述第二NMOS晶体管的栅极连接至所述第二电压输入/输出端。