[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括：

第一和第二场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的漏极扩散层、以及在栅电极外侧形成的源极扩散层；以及

衬底电势扩散层或阱电势扩散层，设置为与相同导电类型的第一和第二场效应晶体管的源极扩散层的每一个相接触，衬底电势扩散层或阱电势扩散层利用与源极扩散层不同导电类型的半导体形成，

其中将不同的信号输入到相同导电类型的第一和第二场效应晶体管的栅电极的每一个，

将衬底电势扩散层或阱电势扩散层形成于第一场效应晶体管的源极扩散层和第二场效应晶体管的源极扩散层之间，以及

沿第一方向在第一和第二场效应晶体管之间不存在隔离器件的绝缘膜，其中相同导电类型的第一和第二场效应晶体管沿所述第一方向设置。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中将衬底电势扩散层或阱电势扩散层设置为围绕源极扩散层。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中衬底电势扩散层或阱电势扩散层通过硅化扩散层与源极扩散层相连。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，还包括接触部，所述接触部设置在源极扩散层和衬底电势扩散层或阱电势扩散层之间的边界线上。

5.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其中没有将接触部设置到源极扩散层和衬底电势扩散层或阱电势扩散层的任一方。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中第一和第二场效应晶体管的至少一个是用于形成触发器电路或锁存电路的一部分的晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中第一和第二场效应晶体管形成SRAM单元电路的一部分。

8.一种半导体集成电路装置，包括：

第一导电类型的场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的第一导电类型的漏极扩散层、在栅电极外侧形成的第一导电类型的源极扩散层、以及与第一导电类型不同的第二导电类型的衬底电势扩散层或阱电势扩散层，将所述衬底电势扩散层或阱电势扩散层形成于源极扩散层的外侧以与第一导电类型的源极扩散层相接触；以及

第二导电类型的场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的第二导电类型的漏极扩散层、在栅电极外侧形成的第二导电类型的源极扩散层、以及与第二导电类型不同的第一导电类型的阱电势扩散层或衬底电势扩散层，将所述阱电势扩散层或衬底电势扩散层形成于源极扩散层的外侧以与第二导电类型的源极扩散层相接触，

其中第一导电类型的场效应晶体管通过硅化扩散层相连，以使得第一导电类型的源极扩散层与第二导电类型的衬底电势扩散层或阱电势扩散层是相同的电势，

第二导电类型的场效应晶体管通过硅化扩散层相连，以使得第二导电类型的源极扩散层与第一导电类型的阱电势扩散层或衬底电势扩散层是相同的电势，以及

第一导电类型的场效应晶体管和第二导电类型的场效应晶体管满足向每一个栅电极输入相同的信号，或满足每一个漏极扩散层是相同的电势。

9.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其中第一导电类型的场效应晶体管和第二导电类型的场效应晶体管通过之间插入的隔离器件的绝缘膜而相邻；以及

第二导电类型的衬底电势扩散层或阱电势扩散层和第一导电类型的阱电势扩散层或衬底电势扩散层分别与隔离器件的绝缘膜相接触。

10.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其中第一导电类型的场效应晶体管和第二导电类型的场效应晶体管作为反相器电路操作。

11.根据权利要求10所述的半导体集成电路装置，其中反相器电路作为具有多个串联连接的反相器电路的振荡器的一部分操作。

12.根据权利要求8所述的半导体集成电路装置，其中形成多个第一导电类型的场效应晶体管和多个第二导电类型的场效应晶体管，而沿与第一导电类型的场效应晶体管和第二导电类型的场效应晶体管之间的界面平行的第一方向，没有插入隔离器件的绝缘膜。