[发明专利]在与非闪存阵列中施加读电压的方法

权利要求书

1.一种操作具有至少一个存储单元串的闪存阵列的方法，所述存储单元串中的串选择晶体管、多个存储单元、以及接地选择晶体管相互串联连接，该方法包括：

将地电压电平施加到对于读操作从存储单元串中选择的所选择的存储单元的字线；以及

在读操作期间，选择性地将读电压电平施加到对于读操作未选择的未选择存储单元的字线，其中所述读电压电平基于未选择存储单元在存储单元串中的位置而变化。

2.如权利要求1所述的方法，其中施加到存储单元串中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管紧邻的未选择存储单元的字线的第一读电压电平小于施加到剩余的未选择存储单元的字线的第二读电压电平。

3.如权利要求2所述的方法，其中与串选择晶体管相邻的未选择存储单元晶体管的栅极和串选择晶体管的栅极之间的距离大于存储单元串中的存储单元晶体管的栅极之间的距离。

4.如权利要求2所述的方法，其中与接地选择晶体管相邻的未选择存储单元晶体管的栅极和接地选择晶体管的栅极之间的距离大于存储单元串中的存储单元晶体管的栅极之间的距离。

5.一种操作具有至少一个存储单元串的闪存阵列的方法，所述存储单元串中的串选择晶体管、多个存储单元、以及接地选择晶体管相互串联连接，该方法包括：

将地电压电平施加到对于读操作从存储单元串中选择的存储单元的字线；

选择性地将第一读电压电平施加到存储单元串中的、与串选择晶体管和接地选择晶体管紧邻的未选择存储单元的字线；以及

选择性地将第二读电压电平施加到连接至串选择晶体管的栅极的串选择线和连接至接地选择晶体管的栅极的接地选择线。

6.如权利要求5所述的方法，其中与串选择晶体管相邻的存储单元晶体管的栅极和串选择晶体管的栅极之间的距离大于位于串选择晶体管和接地选择晶体管之间的存储单元晶体管的栅极之间的距离。

7.如权利要求5所述的方法，其中与接地选择晶体管紧邻的存储单元晶体管的栅极和接地选择晶体管的栅极之间的距离大于位于串选择晶体管和接地选择晶体管之间的存储单元晶体管的栅极之间的距离。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述第二读电压小于所述第一读电压。

9.如权利要求5所述的方法，其中在将相应的读电压施加到存储单元的字线之前，执行选择性地将第一读电压施加到串选择线和接地选择线。

10.如权利要求5所述的方法，其中在读操作之前，所述方法还包括：将连接到存储单元串的位线预充电至预充电电压电平。