[发明专利]基板处理装置的控制装置和控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及对基板实施规定处理的基板处理装置的控制装置、控制方法和存储有控制程序的存储介质，更详细地说，涉及同一基板处理装置的前馈控制的最优化。

背景技术

在连续对多块基板实施期望的处理时，由于在处理中生成的反应生成物逐渐附着在基板处理装置的内壁上等原因，基板处理装置内的气氛逐渐变化。为了与该变化对应而始终高精度地进行基板处理，以往已提出了前馈控制和反馈控制(例如，参照专利文献1)。

在反馈控制中，例如在对基板进行蚀刻处理的情况下，用测定器测定该处理前后的基板表面的状态，根据测定的处理前后的基板表面的状态，求出实际削除的量与目标值偏离多少，根据求出的偏离量，算出例如蚀刻量/时间等的反馈值(以下，也称为FB(Feed Back)值)，使用算出的反馈值对目标值进行更新。这样，为了反映当前的基板处理装置内的气氛的变化而始终将目标值最优化。

在前馈控制中，将通过反馈控制求出的最新的目标值作为控制值，根据该控制值对基板实施规定处理。例如在目标值是蚀刻量/时间的情况下，即使基板处理装置内的气氛逐渐变化，也能够按照与其相应的蚀刻量/时间，良好地对基板进行处理。

【专利文献1】特开2004-207703号公报

但是，以往，在同一基板处理装置内执行的其它处理中，不能共有同一目标值。例如，即使在同一基板处理装置内执行的处理从第一处理改变为第二处理，在执行第二处理时也不能使用在执行第一处理时以反映基板处理装置内的气氛的变化的方式始终被最优化的目标值，必须另外使用第二处理用的目标值进行反馈控制。

另一方面，近年来，根据IC芯片的小型化和降低消耗电力等严格要求，大量地提出了用于实现进一步微细加工的处理。在这样的处理中，与以往的处理比较，需要更细致的控制。因此，当像以往那样，虽然在同一基板处理装置内执行但从第一处理改变为第二处理时，不能共有同一目标值时，虽然在执行第一处理时装置内的气氛发生了变化，但目标值并没有成为与该变化相应的值，因此，特别是在第二处理的执行最初，会发生处理劣化、基板处理后的成品不能实现作为制品的价值的情况。

发明内容

因此，本发明提供将作为前馈控制时的控制值的目标值优化的基板处理装置的控制装置、控制方法和存储有控制程序的存储介质。

即，为了解决上述课题，根据本发明的一个方面，提供一种基板处理装置的控制装置，该控制装置用于控制对基板实施规定处理的基板处理装置，其特征在于，包括：存储部，存储表示不同的处理顺序的多个工艺方案和作为对基板实施上述规定处理时的控制值的规定目标值；通信部，使测定器测定按照上述存储部中存储的多个工艺方案中的第一工艺方案表示的处理顺序、由上述基板处理装置处理的基板的处理前和处理后的处理状态，并接收所测定的信息；运算部，根据上述通信部接收的测定信息中的本次处理的基板的处理前和处理后的测定信息，算出与上述本次处理的基板的处理状态相应的反馈值；更新部，根据上述运算部算出的反馈值，对上述存储部中存储的目标值进行更新；工艺方案调整部，将表示在与上述基板处理装置同一的基板处理装置中执行的处理顺序的工艺方案，从上述存储部中存储的第一工艺方案变更为第二工艺方案；和处理执行控制部，继续使用由上述更新部更新的目标值，按照由上述工艺方案调整部变更的第二工艺方案表示的处理顺序，对搬入到上述同一的基板处理装置中的基板进行前馈控制。

在此，作为上述规定目标值的一个例子，可举出基板的处理时间(例如，蚀刻量/时间)、基板处理装置内的压力、向基板处理装置供给的功率、基板处理装置的规定位置(例如，上部电极、下部电极、台(stage)、装置的侧壁)的温度、向上述基板处理装置供给的多种气体的混合比、向基板处理装置供给的气体的流量等作为处理条件的参数。

由此，即使在表示在同一基板处理装置中执行的处理顺序的工艺方案从第一工艺方案变更为第二工艺方案的情况下，也继续使用在执行第一工艺方案时根据基板处理装置内的气氛而始终被更新(反馈)的目标值，同时，按照第二工艺方案表示的处理顺序，在同一基板处理装置中对基板进行前馈控制。

由此，即使在由于工艺方案改变而在同一基板处理装置内执行不同的处理的情况下，也能够根据反映该基板处理装置内的气氛的变化的目标值，从变更后的处理的执行当初，高精度地对被搬入到同一基板处理装置内的基板进行处理。特别地，即使是要求微细加工的处理，也能够不使其加工处理劣化而高精度地对基板进行处理。结果，提高制品的成品率，由此能够实现生产率的提高和生产成本的降低。