[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：

形成一透明导电层于一基板上；

图案化该透明导电层与该基板，以在该透明导电层与该基板中形成平行交错排列的至少一扫描线沟渠与至少一电容线沟渠，该至少一扫描线沟渠具有至少一TFT区域、一扫描线区域与至少一第一端子区域，该至少一电容线沟渠具有至少一电容线区域与至少一第二端子区域；

依序形成一第一金属层、一介电层、一硅层与一掺杂硅层分别于该至少一扫描线沟渠与该至少一电容线沟渠之中；

形成一第二金属层于该掺杂硅层与该透明导电层之上；以及

以一次曝光的微影蚀刻法，同时定义出一TFT结构于该TFT区域中，一储存电容与一数据线于该电容线区域中，以及二端子结构分别于该第一与第二端子区域中。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该硅层包括一非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该掺杂硅层包括一掺杂非晶硅层。

4.一种液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：

形成一透明导电层于一基板上；

形成一牺牲层于该透明导电层之上；

图案化该牺牲层、该透明导电层与该基板，以在该透明导电层与该基板中形成平行交错排列的至少一扫描线沟渠与至少一电容线沟渠，该至少一扫描线沟渠具有至少一TFT区域、一扫描线区域与至少一第一端子区域，该至少一电容线沟渠具有至少一电容线区域与至少一第二端子区域，该第一端子区域与该第二端子区域在该基板中的沟渠深度往末端方向递减为零；

依序形成一第一金属层、一介电层、一硅层与一掺杂硅层分别于该至少一扫描线沟渠与该至少一电容线沟渠之中以及环绕该第一端子区域与该第二端子区域末端周缘部分的该基板上，该介电层与该牺牲层的材料相同；

侧蚀该牺牲层与该介电层的暴露侧壁，使该牺牲层与该介电层的侧边轮廓后退；

形成一第二金属层于暴露出的该牺牲层、该透明导电层与该掺杂硅层之上；

使用一次曝光的微影蚀刻法，同时定义出一TFT结构于该TFT区域中，一储存电容与一数据线于该电容线区域中，以及二端子结构分别于该第一与第二端子区域中；

形成一保护层于暴露出的各层上；

移除该一次曝光的微影蚀刻法所残留的光刻胶及其上各层；以及

移除侧壁暴露出的该牺牲层、该介电层及前述二者的其上各层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该硅层包括一非晶硅层。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该掺杂硅层包括一掺杂非晶硅层。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该保护层包括氮化硅层、氧化硅层或氮氧化硅层。

8.一种液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：

形成一透明导电层于一基板上；

图案化该透明导电层与该基板，以在该透明导电层与该基板中形成平行交错排列的至少一扫描线沟渠与至少一电容线沟渠，该至少一扫描线沟渠具有至少一TFT区域、一扫描线区域与至少一第一端子区域，该至少一电容线沟渠具有至少一电容线区域与至少一第二端子区域；

依序形成一第一金属层、一介电层、一硅层与一保护层分别于该至少一扫描线沟渠与该至少一电容线沟渠之中；

使用一次曝光的微影蚀刻法，在该TFT区域中移除该保护层与该掺杂非晶硅层以定义出二源极/漏极区域，在该电容线区域中移除该保护层与该掺杂非晶硅层以定义出上电极区域与数据线区域，在该第一与第二端子区域中移除该保护层、该掺杂非晶硅层与该非晶硅层以暴露出该第一金属层；

依序形成一掺杂硅层与一第二金属层于该些源极/漏极区域、该上电极区域、该数据线区域、该第一与第二端子区域以及残留的光刻胶层之上；

侧蚀该透明电极层的暴露侧壁，使该透明电极层的侧边轮廓后退；以及移除残余的该光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该硅层包括一非晶硅层。