[发明专利]减少噪声干扰的封装结构无效
| 申请号： | 200710181698.1 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101217139A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 田炯岳 | 申请（专利权）人： | 菱生精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/06;H05K9/00;H05K5/03;H05K5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 噪声 干扰 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，包含有：
一基板；
一盖体，是由硅基材掺杂非金属材料所制成，该盖体设于该基板而形成有一容室；以及
一芯片，设于该基板且位于该容室内。
2.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体的电阻系数小于102Ω-m。
3.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体是为P型半导体，其所掺杂的非金属材料是为3A元素。
4.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体是为N型半导体，其所掺杂的非金属材料是为5A元素。
5.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该基板具有一导接区，该导接区电性连接该盖体。
6.依据权利要求5所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该导接区是进行接地。
7.依据权利要求1项所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体是以离子布植方式制成。
8.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该盖体具有一开口，该芯片具有一作用区是对应于该开口。
9.依据权利要求1所述的减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，其中该基板具有一开口，该芯片具有一作用区是对应于该开口。
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