[发明专利]形成运算放大器的方法及其结构

权利要求书

1.一种运算放大器，其包括：

第一晶体管，其具有耦合成接收第一输入电压以及将输出电流提供至所述运算放大器的输出的第一载流电极，所述第一晶体管还具有第二载流电极和控制电极；

第二晶体管，其具有耦合成接收公共电压以及从所述运算放大器的输出接收输出电流的第一载流电极，所述第二晶体管还具有第二载流电极和控制电极；

单个差分对，其具有耦合成接收第一输入信号的第三晶体管和耦合成接收第二输入信号的第四晶体管，所述第三晶体管具有第一和第二载流电极以及控制电极，以及所述第四晶体管具有第一和第二载流电极以及控制电极；

第一电流源，其耦合成提供通过所述差分对的恒定电流，所述第一电流源具有第一端子和第二端子；以及

控制电路，其耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管，以及配置成形成通过所述第一晶体管和所述第二晶体管的瞬态电流以及形成不与所述第一电流成比例的所述输出电流的最大值，所述瞬态电流在基本上没有负载电流流过所述第一和第二晶体管的情况下与所述恒定电流成比例。

2.根据权利要求1所述的运算放大器，其中，所述控制电路包括具有大约为所述恒定电流的一半的第一电流的第二电流源，所述第二电流源耦合成向所述第三或所述第四晶体管中的一个提供所述第一电流，所述第二电流源具有第一端子和第二端子。

3.根据权利要求2所述的运算放大器，其中，所述控制电路包括耦合至所述第四晶体管并耦合成接收所述第一电流的第五晶体管，以及其中，所述第一晶体管耦合至所述第五晶体管，以迫使所述第一晶体管和所述第五晶体管的栅极到源极电压基本相等，所述第五晶体管具有第一载流电极和第二载流电极以及控制电极。

4.根据权利要求3所述的运算放大器，其中，所述第三晶体管的所述第一载流电极一般耦合至所述第一晶体管的所述控制电极、所述笫五晶体管的所述控制电极以及所述第二电流源的所述第二端子，以及其中，所述第三晶体管的所述第二载流电极一般耦合至所述第四晶体管的所述第二载流电极以及所述第一电流源的所述第一端子。

5.根据权利要求3所述的运算放大器，其中，所述控制电路包括耦合至所述第五晶体管以形成与所述第一电流成比例的第二电流的第六晶体管，以及还包括与所述第二晶体管耦合在电流镜像结构中且配置成接收来自所述第六晶体管的所述第二电流的第七晶体管，所述第六晶体管具有第一和第二载流电极以及控制电极，以及所述第七晶体管具有第一和第二载流电极以及控制电极。

6.根据权利要求5所述的运算放大器，其中，所述第六晶体管的控制电极一般耦合至所述第四晶体管的所述第一载流电极以及所述第五晶体管的所述第二载流电极，其中，所述第六晶体管的所述第一载流电极耦合至所述第七晶体管的所述第一载流电极，以及其中，所述第七晶体管的所述控制电极耦合至所述第二晶体管的所述控制电极。

7.一种运算放大器，其包括：

第一和第二晶体管，其耦合在堆栈结构中以响应于所述运算放大器的输入信号而向负载提供输出电流，以及形成通过所述第一和第二晶体管的瞬态电流；

第一电流源，其耦合成将第一电流提供至耦合为所述运算放大器的单个差分对的第三和第四晶体管；以及

控制电路，其配置成形成通过所述第一晶体管和所述第二晶体管的瞬态电流，以及形成不与所述第一电流成比例的所述输出电流的最大值，所述瞬态电流是所述第一电流的比例。

8.根据权利要求7所述的运算放大器，其中，所述控制电路配置成在基本没有负载电流流过所述第一和第二晶体管的条件下形成所述瞬态电流。

9.一种形成运算放大器的方法，其包括：

将第一晶体管和第二晶体管耦合在堆栈结构中以响应于所述运算放大器的输入信号而形成输出电流，以及形成通过所述第一和第二晶体管的瞬态电流；以及

配置所述运算放大器以将通过所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述瞬态电流控制为来自所述运算放大器的第一电流源的第一电流的第一比例，以及形成不与来自所述第一电流源的所述第一电流成比例的所述输出电流的最大值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述配置所述运算放大器以控制所述瞬态电流的步骤，包括配置具有包括第三晶体管和第四晶体管的单个差分晶体管对的所述运算放大器，以及配置所述运算放大器的控制电路以控制所述第一晶体管具有是通过所述第三或第四晶体管中的一个的第二电流的第二比例的瞬态电流，以及配置所述控制电路以控制所述第二晶体管具有是通过所述第三或第四晶体管中的另一个的第三电流的第三比例的瞬态电流。