[发明专利]低频模拟电路的设计方法及其低频模拟电路

权利要求书

1.一种低频模拟电路的设计方法，包括下列步骤：

a.提供低频模拟电路；以及

b.将该低频模拟电路中至少一MOS晶体管操作在弱反转区。

2.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该步骤b包括使该MOS晶体管的栅极操作电压小于该MOS晶体管的阈值电压与该MOS晶体管的源极电压之和。

3.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该MOS晶体管包括NMOS晶体管，且该步骤b包括使上述NMOS晶体管满足V_gs-V_th＜0mV条件，其中V_gs为NMOS晶体管的栅极至源极电压，V_th为MOS晶体管的阈值电压。

4.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该MOS晶体管包括NMOS晶体管，且该步骤b包括使上述NMOS晶体管满足V_gs-V_th＜-100mV条件，其中V_gs为NMOS晶体管的栅极至源极电压，V_th为MOS晶体管的阈值电压。

5.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该MOS晶体管包括PMOS晶体管，且该步骤b包括使上述PMOS晶体管满足V_sg-V_th＜0mV条件，其中V_sg为PMOS晶体管的源极至栅极电压，V_th为MOS晶体管的阈值电压。

6.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该MOS晶体管包括PMOS晶体管，且该步骤b包括使上述PMOS晶体管满足V_sg-V_th＜-100mV条件，其中V_sg为PMOS晶体管的源极至栅极电压，V_th为MOS晶体管的阈值电压。

7.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该低频模拟电路操作在1MHz以下。

8.如权利要求1所述的低频模拟电路的设计方法，其中该低频模拟电路包括放大器电路，该放大器电路用以放大电容式麦克风的输出。

9.如权利要求8所述的低频模拟电路的设计方法，其中该放大器电路为麦克风感测电路。

10.一种低频模拟电路，包括：

阻抗转换级，用以接收输入信号，并将该输入信号由高阻抗传递至低阻抗，以形成阻抗转换信号；以及

放大器电路，用以接收并放大该阻抗转换信号，其中该放大器电路中至少有一MOS晶体管操作于弱反转区。

11.如权利要求10所述的低频模拟电路，其中该阻抗转换级包括：

第一PMOS晶体管，其源极与栅极接收该输入信号，而其漏极耦接接地电压；

第二PMOS晶体管，其源极耦接电源电压，且该第二PMOS晶体管的栅极接收第一偏压；以及

第三PMOS晶体管，其漏极耦接该接地电压，而该第三PMOS晶体管的栅极耦接该第一PMOS晶体管的源极，该第三PMOS晶体管的源极耦接该第二PMOS晶体管的漏极，并输出该阻抗转换信号。

12.如权利要求11所述的低频模拟电路，其中该放大器电路包括：

电流镜，具有第一端、第二端、第三端、以及第四端，该电流镜的第一端与第二端都耦接该电源电压，且该电流镜依据流过其第一端与第三端的电流而决定其第二端与第四端的电流值；

第一NMOS晶体管，其栅极接收该阻抗转换信号，其本体与源极相接，而其漏极耦接该电流镜的第三端，且该第一NMOS晶体管操作于弱反转区；

第二NMOS晶体管，其栅极接收参考偏压，其本体与源极相接，而其漏极耦接该电流镜的第四端并输出输出信号，且该第二NMOS晶体管的源极耦接该第一NMOS晶体管的源极，其中该参考偏压小于该第二NMOS晶体管的阈值电压与该第二NMOS晶体管的源极电压之和；以及

第三NMOS晶体管，其源极耦接该接地电压，且该第三NMOS晶体管的漏极耦接该第二NMOS晶体管的源极，该第三NMOS晶体管的栅极接收第二偏压。