[发明专利]模块化传感器组件及其制造方法有效
申请号: | 200710180198.6 | 申请日: | 2007-10-11 |
公开(公告)号: | CN101199434A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | C·G·沃伊奇克;R·A·费希尔;D·M·米尔斯;S·科甘;D·R·艾斯勒;R·G·沃尼基;J·S·艾尔鲍姆 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | A61B19/00 | 分类号: | A61B19/00;A61B8/00;A61B5/00;H01L49/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王小衡 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块化 传感器 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种传感器组件(10),包括:
传感器阵列(12),其包括多个传感器模块(22),其中,所述多个传感器模块(22)中的每一个包括多个传感器子阵列(18);以及
电子装置阵列(14),其耦合到该传感器阵列(12)并且包括多个集成电路模块(24),其中,所述多个集成电路模块(24)中的每一个包括多个集成电路芯片(20)。
2.如权利要求2所述的传感器组件(10),其中,所述互连(16)包括倒装芯片凸块接合、原子接合、低温熔化接合、层压金凸块或铟凸块、铜加压接合、各向异性导电薄膜之一或其组合。
3.如权利要求1所述的传感器组件(10),其中,每一个所述传感器子阵列(18)包括电容性微加工超声换能器(cMUT)、锌镉碲化物(CZT)传感器、压电换能器(PZT)、压电微加工超声换能器(PMUT)或光电传感器阵列之一。
4.如权利要求1所述的传感器组件(10),其中,所述多个集成电路芯片(20)中的每一个包括输入/输出焊盘区域(26),所述输入/输出焊盘区域(26)沿着该集成电路芯片(20)的单个边缘设置并且被配置成把该集成电路芯片(20)耦合到传感器系统。
5.如权利要求1所述的传感器组件(10),其中,所述多个集成电路芯片(20)中的每一个包括输入/输出焊盘区域(26),输入/输出焊盘区域(26)沿着该集成电路芯片(20)的多于一个边缘设置并且被配置成把该集成电路芯片(20)耦合到超声系统。
6.如权利要求1所述的传感器组件(10),其中,所述传感器阵列(12)被层叠在所述电子装置阵列(14)的上面。
7.如权利要求1所述的传感器组件(10),还包括被配置成把所述传感器阵列(12)耦合到所述电子装置阵列(14)的互连(16),其中,该互连(16)包括多个导电凸块(36),所述导电凸块被配置成把该传感器阵列(12)机械地耦合到该电子装置阵列(14),以及在该传感器阵列(12)与该电子装置阵列(14)之间传送电信号。
8.一种制造传感器组件(10)的方法,包括:
提供多个传感器模块(22),其中,每个传感器模块(22)包括多个传感器子阵列(18);
提供多个电子装置模块(24),其中,每个电子装置模块(24)包括多个集成电路芯片(20);以及
以层叠布置把所述多个传感器模块(22)中的每一个耦合到所述多个集成电路模块(24)中对应的一个。
9.如权利要求8所述的方法,其中,提供所述多个传感器模块(22)包括:
在晶片(28)上制造所述多个传感器子阵列(18)当中的每一个;
对所述多个传感器子阵列(18)当中的每一个进行电测试;
在该晶片(28)上识别电气良好的传感器子阵列(34);以及
在识别了所述电气良好的传感器子阵列(34)之后,对该晶片(28)进行划线以便产生所述多个传感器模块(22),每一个传感器模块(22)包括设置在单个行中的M个传感器子阵列(18),其中选择划线图案以便最大化传感器模块(22)的数目,其中传感器模块(22)中的每个传感器子阵列(34)是电气良好的传感器子阵列(34)。
10.如权利要求8所述的方法,其中,提供所述多个电子装置模块(24)包括:
在晶片上制造所述多个集成电路芯片(20)当中的每一个;
对所述多个集成电路芯片(20)当中的每一个进行电测试;
在该晶片上识别电气良好的集成电路芯片(20);以及
在识别了所述电气良好的集成电路芯片(20)之后,对该晶片进行划线以便产生所述多个电子装置模块(24),每一个电子装置模块(24)包括设置在单个行中的N个集成电路芯片(20),其中选择划线图案以便最大化电子装置模块(24)的数目,其中该电子装置模块(24)中的每个集成电路芯片(20)是电气良好的集成电路芯片。
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