[发明专利]一种双输入路径的超宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 200710179862.5 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465618A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王晗;叶青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输入 路径 宽带 低噪声放大器 | ||
1.一种双输入路径的宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：
宽带输入匹配电路(11)，用于提供低噪声放大器的宽带输入匹配，包括高频信号下的通路(111)和低频信号下的通路(112)；
共栅结构(12)，用于隔离输入端与输出端；
CMOS晶体管(13)，用于提供放大器增益和噪声匹配；
所述高频信号下的通路(111)和所述低频信号下的通路(112)为并联方式，两条路径的一端同时与输入信号相连，另一端则分别与所述CMOS晶体管(13)的栅极和源极相连；输入信号由所述宽带输入匹配电路(11)进入，分别经过所述宽带输入匹配电路(11)的两条不同路径到达输出端口；所述共栅结构(12)一端与所述CMOS晶体管(13)的源极相连，另一端与参考地相连。
2.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述共栅结构(12)与所述宽带输入匹配电路(11)共同构成超宽带输入信号下的输入匹配结构；所述宽带输入匹配电路(11)弥补了所述共栅结构(12)在高频信号下的输入匹配下降。
3.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述的高频信号下的通路(111)为一电容。
4.根据权利要求3所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电容在高频下呈现通路趋势，导通阻抗随频率升高而降低，而在低频下呈现开路趋势，导通阻抗随频率升高而升高。
5.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述的低频信号下的通路(112)为一电感。
6.根据权利要求5所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述电感在高频下呈现开路趋势，导通阻抗随频率升高而升高，而在低频下呈现通路趋势，导通阻抗随频率升高而降低。
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