[发明专利]透射电子显微镜样品台转接头和所用基片及基片的制造方法

权利要求书

1.一种用于性质测量的透射电子显微镜样品台转接头，包括转接头本体和设置在转接头本体上的固定基片用部件，转接头本体一端与样品台配合，本体上设置有凹槽，凹槽内接近本体另一端的位置处设置有通孔，固定基片用部件对应于通孔位置进行设置，优选设置在与通孔相对的接近转接头本体与样品台配合的一端。

2.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品台转接头，其特征在于，所述固定基片用部件为弹簧压片和固定件。

3.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品台转接头，其特征在于，所述转接头本体为板状，本体横截面为矩形、形状、形状、形状、形状。

4.如权利要求1-3任一项所述的透射电子显微镜样品台转接头，其特征在于，所述通孔的形状为正方形、长方形、多边形、圆形、椭圆形。

5.如权利要求1-3任一项所述的透射电子显微镜样品台转接头，其特征在于，所述凹槽的深度为0.1-2mm。

6.一种与权利要求1-5任一项所述的转接头配套使用的基片，其特征在于，具有一个或多个宽度为1-100μm的狭缝。

7.如权利要求6所述的基片，其特征在于，基片的厚度与转接头本体上凹槽的深度和TEM电子束聚焦中心位置匹配，使TEM电子束能够聚焦在基片上表面狭缝上的材料上；所述基片的上表面和狭缝内侧具有介电层。

8.如权利要求6或7所述的基片，其特征在于，所述基片的材质为硅、锗、碳化硅、氮化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、石英、氧化铝、氧化锌。

9.如权利要求6或7所述的基片，其特征在于，所述基片的狭缝位置中心、转接头本体上的通孔位置中心及TEM电子束中心位置对准，从而使TEM电子束能先后顺利通过基片狭缝和转接头通孔。

10.一种基片的制造方法，包括以下步骤：

(1)在基片表面上形成抗蚀层；

(2)在基片上表面通过光刻的方法在光刻胶体上做出所需要的曝光图形；以光刻胶体为阻挡层采用干法刻蚀或者酸碱湿法刻蚀，在抗蚀层上得到相应的图形；以抗蚀层为阻挡层采用干法刻蚀，在基片上表面做出1-100μm宽度的槽；采用与上表面做槽的相同方法在基片的下表面做出0.1-1mm宽度的槽，该槽末端与上方槽的末端重合，从而得到所需要的狭缝；

(3)在基片表面上和狭缝内侧形成介电层。