[发明专利]一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法

权利要求书

1、一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，该方法包括：

在制作的亚微米HBT发射极/HEMT栅之上制作牺牲介质层，并剥离，形成带有牺牲介质层的HBT发射极/HEMT栅；

在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料，使基片表面平坦；

刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层；

移除牺牲介质层，暴露需要互联的金属；

清洗后，光刻、蒸发，制作金属互联。

2、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述制作牺牲介质层，并剥离，形成带有牺牲介质层的HBT发射极/HEMT栅的步骤包括：

光刻制作好亚微米HBT发射极/HEMT栅图形后，蒸发HBT发射极/HEMT栅金属Ti/Au，然后继续蒸发一定厚度的牺牲介质层，并剥离金属，形成带有牺牲介质层的HBT发射极/HEMT栅。

3、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述牺牲介质层与亚微米HBT发射极/HEMT栅同时制作，或者在亚微米HBT发射极/HEMT栅制作完成后再进行制作。

4、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述牺牲介质层为金属材料或非金属材料，所述金属材料为Al，所述非金属材料为二氧化硅或氮化硅。

5、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上涂平坦化材料的步骤包括：

在基片具有HBT发射极/HEMT栅的表面之上旋转涂覆一定厚度的平坦化材料。

6、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述刻蚀所述平坦化材料，暴露所述牺牲介质层的步骤包括：

将基片置于RIE离子刻蚀机或ICP中，对平坦化材料环苯丙环丁烯进行刻蚀或进行湿法腐蚀，直到牺牲介质层充分暴露，便于去除。

7、根据权利要求1或6所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述暴露所述牺牲介质层包括：完全暴露牺牲介质层，或只暴露牺牲介质层的顶端。

8、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述移除牺牲介质层，暴露需要互联的金属的步骤包括：

用腐蚀液腐蚀去除牺牲介质层，使HBT发射极/HEMT栅完全暴露。

9、根据权利要求1所述的引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，其特征在于，所述移除牺牲介质层根据牺牲介质层材料的不同采用干法刻蚀或湿法刻蚀进行。