[发明专利]空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置及方法

权利要求书

1、一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：

一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；

一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基座的直径小于或等于进气蓬头的直径，该基座可以旋转；

其中进气蓬头位于基座具有圆形凹槽的表面的一侧，该进气蓬头与基座之间相隔有一距离，该进气蓬头靠近基座的一端为气体出口，远离基座的另一端为气体入口。

2、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的进气蓬头内分成的多个区为2—10个区。

3、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的进气蓬头与基座之间相隔的距离是0.1—20厘米。

4、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的基座的上面制作的圆形凹槽的数目大于或等于1。

5、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的基座的旋转速度是0-3000转每分钟。

6、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的进气蓬头的每一个区是原料气的进气喷口，喷口的形状是圆形、四边形或扇形；

7、根据权利要求6所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的每个喷口根据需要细分成多个孔，用来在有限的空间范围内均匀分布原料气。

8、根据权利要求1所述的空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中所述的进气蓬头在同一时刻分别通入不同或者相同种类的原料气，其流量的大小、通断的时间单独控制。

9、一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的方法，该生长方法是采用权利要求1所述的装置，其特征在于，其中包括如下步骤：

步骤1：将待生长的外延材料的衬底放置在基座上面的圆形凹槽内；

步骤2：将基座加热到材料外延生长所需要的温度；

步骤3：旋转基座，该旋转基座带动放置在基座的凹槽中的按照设定的速度绕中心轴旋转；

步骤4：向进气蓬头内的多个区中通入不同或者相同的反应气体；

步骤5：放置在基座的凹槽中的衬底在基座的带动下经过从进气蓬头的分区通入的气体所覆盖的区域，在衬底上淀积生长一层分区通入的气体所对应的原子或分子；

步骤6：重复步骤4、5，直到满足预定材料生长要求为止。