[发明专利]钯－聚吡咯修饰泡沫镍催化电极的制备方法无效
| 申请号： | 200710177480.9 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101235517A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 孙治荣;葛慧;李保华;胡翔 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C02F1/46 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吡咯 修饰 泡沫 催化 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、钯-聚吡咯修饰泡沫镍催化电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：
1)、氯化钯溶液的配制：将PdCl2粉末溶于2～4mol/L的盐酸中，用去离子水稀释得20～25mmol/L PdCl2溶液；
2)、泡沫镍依次分别在硫酸、丙酮、二次蒸馏水中超声波震荡10～15分钟以清洗干净，烘干备用，吡咯蒸馏备用；
3)、PPy/foam-Ni电极的制备：以上述的泡沫镍为阳极，铂片为阴极，上述的吡咯加入十倍体积的0.5mol/L硫酸，再稀释十倍作镀液，设定沉积电流密度为1.7 mA·cm-2，沉积时间为20min，采用电沉积的方法制得PPy/foam-Ni电极；
4)、以步骤3)所制得的PPy/foam-Ni电极为阴极，铂片为阳极，采用电沉积的方法在步骤1)所配制的氯化钯溶液中进行钯的沉积，沉积电流密度为1.7～4.2mA·cm-2，沉积时间为30～40min。
2、如权利要求1所述的钯-聚吡咯修饰泡沫镍催化电极的制备方法，其特征在于配制22.5mmol/LPdCl2溶液，制备Pd/PPy/foam-Ni电极时沉积电流密度为3.3mA·cm-2，沉积时间为40min。
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