[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710177428.3 | 申请日： | 2007-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101435962A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 郝昭慧;柳在一 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：
基板，
至少一个栅扫描线，形成在所述基板上，至少一侧形成坡面区域；
栅绝缘层，形成在所述栅扫描线上，并覆盖整个基板；
数据电极，形成在所述栅绝缘层上，一侧边缘位于所述坡面区域之上；
第一搀杂半导体层，形成在所述数据电极上；
半导体层，形成在所述第一搀杂半导体层上，并覆盖所述栅扫描线的坡面区域；
第二搀杂半导体层，形成在所述半导体层上；
像素电极，形成在所述第二搀杂半导体层上，使所述像素电极与所述数据电极之间位于所述坡面区域上的半导体层形成竖直方向的导电沟道。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述栅扫描线上表面距基板表面的距离为
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述栅扫描线上表面距基板表面的距离为
4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述栅扫描线为二个，间隔形成在所述基板上，至少相对的一侧形成坡面区域；
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述数据电极设置在二个栅扫描线之间，数据电极二侧边缘分别位于二个栅扫描线的坡面区域之上。
6.一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成至少一个栅扫描线，所述栅扫描线的至少一侧边缘形成坡面区域；
步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成一侧边缘位于所述坡面区域之上的数据电极；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积搀杂半导体薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成第一搀杂半导体层；
步骤4、在完成步骤3的基板上连续沉积半导体薄膜和搀杂半导体薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成半导体层和第二搀杂半导体层，且所述半导体层覆盖所述坡面区域；
步骤5、在完成步骤4的基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极与数据电极之间位于所述坡面区域上的半导体层形成竖直方向的导电沟道。
7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1中栅扫描线的厚度为
8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1中栅扫描线的厚度为
9.根据权利要求6～8中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成二个间隔设置的栅扫描线，二个栅扫描线中相对的一侧形成坡面区域。
10.根据权利要求9所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述二个栅扫描线之间形成数据电极，数据电极二侧边缘分别位于二个栅扫描线的坡面区域之上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710177428.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
