[发明专利]一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法无效
| 申请号： | 200710176601.8 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101424878A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈志刚;张杨;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01J37/317;H01J37/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一次 电子束 曝光 形成 宽窄 制作方法 | ||
1、一种一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：制作进行电子束曝光所需的T形栅的版图；
步骤2：对制作T形栅的基片进行清洗，烘干；
步骤3：在基片上涂三层电子束曝光胶、烘干；
步骤4：电子束曝光，将所需的T形栅的版图转移到基片上；
步骤5：显影和定影，在三层电子束曝光胶上形成制作T形栅的沟槽；
步骤6：电子束蒸发栅极金属；
步骤7：金属剥离，在沟槽内形成T形栅的结构。
2、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中基片为蓝宝石衬底的氮化镓/氮化镓铝外延片。
3、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中在基片上涂三层电子束曝光胶的材料分别为PMMA、PMMA-MAA、PMMA。
4、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤1所述的T形栅的版图分为三个曝光剂量各不相同的区域，各区域的曝光剂量分别为：
第一区a为1140pC/cm；
第二区b为100μC/cm2；
第三区c为60μC/cm2。
5、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤2中所述的烘干时的温度为110度，时间为5分钟。
6、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤3所述的涂三层电子束曝光胶、烘干，是指每涂一次电子束曝光胶烘干一次。
7、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤4是用电子束一次全部曝光版图上三个剂量各不相同的区域。
8、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤5所述的显影和定影的时间均为30秒。
9、根据权利要求1所述的一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，其中步骤6所述的电子束蒸发的栅极金属为镍/金，其厚度为30/330nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710176601.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：声控智能家居控制系统
- 下一篇：X射线双线阵三维成像方法
