[发明专利]多阶游程受限只读光盘母盘及其刻录方法

权利要求书

1.多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于具有多阶记录，所述记录符的纵截面为多阶任意形状。

2.根据权利要求1所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，所述光盘母盘的信息游长是受限的，在所述多阶只读光盘的通道序列中，两个非“0”数据之间最少有d个“0”，最多有k个“0”，其中，k、d均为整数，k大于等于d，d大于等于0，参数d确定了可能出现在所述通道序列中的最小游长，参数k确定了可能出现在所述通道序列中的最大游长。

3.根据权利要求1所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，不同阶的记录符的宽度不同。

4.根据权利要求1所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，不同阶的记录符的深度不同。

5.根据权利要求1所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，不同阶数的记录符的宽度不同，不同阶的记录符的深度也不同。

6.根据权利要求1所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由刻录方法和过程决定。

7.根据权利要求6所述的刻录方法，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由母盘激光刻录系统的激光功率决定，当所述激光器为半导体激光器时，通过调节所述半导体激光器的驱动电流来控制所述半导体激光器的激光刻录功率的大小；当所述激光器为气体激光器时，通过改变声光或电光调制器的调制幅度来控制激光器的激光刻录功率的大小。

8.根据权利要求6所述的刻录方法，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由母盘激光刻录系统的激光功率决定，当所述激光器为半导体激光器时，通过调节所述半导体激光器的驱动电流来控制所述半导体激光器的激光刻录功率的大小；当所述激光器为气体激光器时，通过改变声光或电光调制器的调制幅度来控制激光器的激光刻录功率的大小。并且刻录过程采用固体浸没透镜的近场刻录系统。

9.根据权利要求6所述的刻录方法，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由母盘激光刻录系统的激光功率决定，当所述激光器为半导体激光器时，通过调节所述半导体激光器的驱动电流来控制所述半导体激光器的激光刻录功率的大小；当所述激光器为气体激光器时，通过改变声光或电光调制器的调制幅度来控制激光器的激光刻录功率的大小。并且刻录过程采用液体浸没显微技术的近场刻录系统。

10.根据权利要求7到9所述的刻录系统激光波长包括红外到紫外的所有波长。

11.根据权利要求6所述的刻录方法，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由母盘电子束刻录系统的电子束控制电流大小决定。通过改变电子束的控制电流大小改变电子束的光斑直径使记录符纵截面的形状发生变化。

12.根据权利要求6所述的刻录方法，其特征在于，所述记录符纵截面的形状由母盘离子束刻录系统的离子束控制电流大小决定。通过改变离子束的控制电流大小改变离子束的光斑直径使记录符纵截面的形状发生变化。

13.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过调节母盘刻录光源的曝光时间实现对所述游长的控制。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，母盘刻录过程采用光刻胶材料。

15.根据权利要求1至13中任一项所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，母盘刻录过程采用改性光刻胶材料。

16.根据权利要求15所述的多阶只读光盘，其特征在于，所述改性光刻胶是将生产母盘用的普通光刻胶经过物理改性或化学改性后得到的，其中，所述物理改性通过选自包括热处理、光处理、电处理、和磁处理的组的至少一种处理方式进行，所述化学改性通过增加选自包括引发剂、增感剂、和树脂的组的至少一种添加剂进行。

17.根据权利要求1至13中任一项所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，母盘刻录过程采用树脂材料。

18.根据权利要求14至17中任一项所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，刻录过程在感光材料上覆盖光致漂白染料提高分辨率。

19.根据权利要求14至17中任一项所述的多阶游程长度受限只读光盘母盘，其特征在于，刻录过程在感光材料上覆盖超分辨掩膜提高分辨率。