[发明专利]一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200710173617.3 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101275277A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 郑燕青;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 镓钡铌 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1、一种硅酸镓钡铌晶体，其特征在于化学式为Ba3NbGa3Si2O14，空间群P321，晶胞参数为
2、按权利要求1所述的一种硅酸镓钡铌晶体的制备方法，其特征在于，采用将纯度为99.99％的原料BaCO3或BaO、Nb2O5、Ga2O3、SiO2按化学式配原料，采用提拉法生长晶体。
3、按权利要求2所述的一种硅酸镓钡铌晶体的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
(1)将原料混合压块，在1000℃至1200℃温度范围内烧结12小时至24小时，得到化合物原料；
(2)使用铱或铂坩埚，加热2-3小时使温度升至1300℃-1600℃左右，原料熔化后放入籽晶，控制转速5-30rpm，提拉速度0.1-5mm/h；
(3)生长结束后将晶体提离熔体，晶体降温至室温。
4、按权利要求3所述的一种硅酸镓钡铌晶体的制备方法，其特征在于加温方式采用中频电源感应。
5、按权利要求3或4所述的一种硅酸镓钡铌晶体的制备方法，其特征在于使用铱金坩埚时要使用惰性气氛保护。
6、按权利要求3或4所述的一种硅酸镓钡铌晶体的制备方法，其特征在于晶体降温速率为每小时60-120℃。
7、按权利要求1所述的一种硅酸镓钡铌晶体用于制作声表面波或声体波压电器件。
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