[发明专利]层间电容器的形成方法

权利要求书

1.一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括：

于一电容器下极板形成后，淀积一刻蚀阻挡层和一层间介质膜；

通过刻蚀，于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；

于该电容器极板沟槽内形成一电容器上极板。

2.根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述电容器上极板为一单层结构，其与一金属连线形成于同一金属层。

3.根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述电容器上极板为一双层结构，其第一层形成于一接触孔填充层，其第二层与一金属连线形成于同一金属层。

4.根据权利要求1所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述层间电容器为多晶硅金属层间电容器。

5.一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括以下步骤：

于一基底上形成一栅极和一电容器下极板；

淀积一刻蚀阻挡层；

淀积一层间介质膜；

于层间介质膜和刻蚀阻挡层中形成至少一接触孔，其中上述接触孔穿过层间介质膜和刻蚀阻挡层；

淀积一接触孔填充层；

保留接触孔内的接触孔填充层，去除其余接触孔填充层；

于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；

淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；

保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上极板，

其中通孔上方剩余的金属层为该金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属层为该电容器上极板。

6.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述层间电容器为多晶硅金属层间电容器。

7.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中一上述接触孔连接上述金属连线与栅极。

8.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中一上述接触孔连接上述金属连线与电容器下极板。

9.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述电容器上极板为由上述金属层所形成的单层结构。

10.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，还包括：

在淀积上述接触孔填充层之前，淀积一阻挡层。

11.根据权利要求5所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述接触孔填充层的材质为钨。

12.根据权利要求11所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中在上述去除其余接触孔填充层的过程中，是采用钨的化学机械抛光而去除其余接触孔填充层。

13.一种层间电容器的形成方法，其特征是，包括以下步骤：

于一基底上形成一栅极和一电容器下极板；

淀积一刻蚀阻挡层；

淀积一层间介质膜；

于层间介质膜中形成一电容器极板沟槽，其中该电容器极板沟槽穿过层间介质膜而止于刻蚀阻挡层并暴露出部分刻蚀阻挡层，以所暴露出的刻蚀阻挡层作为电容器介质；

于层间介质膜和刻蚀阻挡层中形成至少一接触孔，其中上述接触孔穿过层间介质膜和刻蚀阻挡层；

淀积一接触孔填充层；

保留接触孔内和电容器极板沟槽内的接触孔填充层，去除其余接触孔填充层，其中电容器极板沟槽内剩余的接触孔填充层为电容器上极板第一层；

淀积一金属层于上述带有通孔和电容器极板沟槽的层间介质膜；

保留通孔上方的金属层与电容器极板沟槽内的金属层，而刻蚀掉金属层的其他部分，以同时形成至少一金属连线和一电容器上极板第二层，

其中通孔上方剩余的金属层为该金属连线，电容器极板沟槽内剩余的金属层为该电容器上极板第二层。

14.根据权利要求13所述的层间电容器的形成方法，其特征是，其中上述层间电容器为多晶硅金属层间电容器。