[发明专利]一种低功耗高性能正交下混频器

权利要求书

1.一种低功耗正交下混频器，其特征在于电路包括四部分：射频RF转换变压器、正交本振LO开关级、中频IF负载级和电流源偏置；RF转换变压器线圈T1的初级一端接RF信号的正极RF+，另一端接地，线圈T2的初级一端接RF信号的负极RF-，另一端接地；线圈T1的次级同相端接节点1，另一端接节点3，线圈T2的次级同相端接节点2，另一端接节点3；I路的LO开关级晶体管M1和M4的栅极接I路LO信号的正极ILO+，晶体管M2和M3的栅极接I路LO信号的负极ILO-，M1和M2共源端接节点4，晶体管M3和M4共源端接节点5；晶体管M1和M3的漏极与负载Z_L1相连，输出信号为II_F+，晶体管M2和M4的漏极与负载Z_L2相连，输出信号为II_F-；Q路的LO开关级晶体管M5和M8的栅极接Q路LO信号的正极QLO+，晶体管M6和M7的栅极接Q路LO信号的负极QLO-，晶体管M5和M6共源端接节点6，晶体管M7和M8共源端接节点7；晶体管M5和M7的漏极与负载Z_L3相连，输出信号为QI_F+，晶体管M6和M8的漏极与负载Z_L4相连，输出信号为QI_F-；负载Z_L1、Z_L2、Z_L3和Z_L4的另一端接同一电源电压V_DD；节点4和节点6与节点1相连，节点5和节点7与节点2相连；电流偏置管M9的栅极接信号V_bias，漏极接节点3，源极接信号GND；信号RF+和RF-表示射频RF输入差分信号，即接收机接收放大得到的带有基带信号的高频调制信号；信号ILO+和ILO-表示I路的本地振荡信号，与RF信号的载波频率相同；信号QLO+和QLO-表示Q路的本地振荡信号，与RF信号的载波频率相同，与I路的本地振荡信号相位差90度，即成正交，；信号II_F+和II_F-为RF信号与I路LO信号混频得到的I路的中频信号，信号QI_F+和QI_F-为RF信号与Q路LO信号混频得到的Q路的中频信号；V_DD信号为本电路的电源电压，为正1.5V至1.8V；GND信号为本电路的地信号，为0；V_bias为本电路电流偏置管的偏置电压信号，通常通过额外的电流镜电路提供。

2.根据权利要求1所述的低功耗正交下混频器，其特征在于所述的晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体，或者NPN三极管；当为NPN三极管时，所述的栅极、源极和漏极分别改为极、发射集和集电极。