[发明专利]确定光刻投影装置最佳物面和最佳像面的方法及相关装置

权利要求书

1.一种确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，包括：

投射一光束于一掩膜版，此光束通过一投影物镜在一晶片上形成对应于上述掩膜版一标记图形的一曝光标记；

控制上述掩膜版及晶片在一定运动范围内步进，从而在上述晶片上得到一组曝光标记；

比较此组曝光标记的分辨率，确定最佳物面和最佳像面的位置。

2.根据权利要求1所述的确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，其中上述最佳物面和最佳像面的位置即为对应于上述分辨率最小的物面及像面位置。

3.根据权利要求1所述的确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，其中当上述掩膜版及晶片在一定运动范围内步进的步数分别为Nu和Nv时，所得到的上组曝光标记为一Nu×Nv个曝光标记构成的曝光矩阵。

4.根据权利要求1所述的确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，更包括：

调整上述晶片表面曝光剂量，得到对应于不同剂量的多组曝光标记，比较这些曝光标记的分辨率，确定最佳曝光剂量。

5.根据权利要求4所述的确定光刻投影装置最佳物面、最佳像面的方法，其特征是，其中上述最佳曝光剂量即为对应于上述分辨率最小的曝光剂量。

6.一光刻投影装置，具有一光源及一投影物镜，以产生并传送一投射光束，其特征是，该投影装置包括：

一掩膜版，具有一标记图形；

一晶片，其中上述投射光束通过上述掩膜版及投影物镜在此晶片上形成对应于掩膜版标记图形的一曝光标记，

其中，上述掩膜版及晶片在一定运动范围内步进，从而在晶片上得到一组曝光标记，比较此组曝光标记的分辨率，确定最佳物面和最佳像面的位置。

7.根据权利要求6所述的光刻投影装置，其特征是，其中上述最佳物面和最佳像面的位置即为对应于上述分辨率最小的物面及像面位置。

8.根据权利要求6所述的光刻投影装置，其特征是，其中当上述掩膜及晶片在一定运动范围内步进的步数分别为Nu和Nv时，所得到的上组曝光标记为一Nu×Nv个曝光标记构成的曝光矩阵。

9.根据权利要求6所述的光刻投影装置，其特征是，该光刻投影装置还包括：

一掩膜台，用以置放上述掩膜版而带动掩膜版在一定运动范围内步进；

一工件台，用以置放上述晶片而带动晶片在一定运动范围内步进。

10.根据权利要求9所述的光刻投影装置，其特征是，该光刻投影装置还包括：

一掩膜台运动控制器，连接上述掩膜台，以控制上述掩膜台带动掩膜版在一定运动范围内步进；

一工件台运动控制器，连接上述工件台，以控制上述工件台带动晶片在一定运动范围内步进。

11.根据权利要求6所述的光刻投影装置，其特征是，其中上述晶片表面涂覆有光刻胶，其最佳曝光剂量是通过比较不同剂量对应的曝光标记的分辨率而确定。

12.根据权利要求11所述的光刻投影装置，其特征是，其中上述最佳曝光剂量即为对应于上述分辨率最小的剂量。