[发明专利]具有多个等离子体反应区域的包括多个处理平台的等离子体反应室有效
| 申请号: | 200710171405.1 | 申请日: | 2007-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN101451237A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
| 发明(设计)人: | 陈爱华;刘忆军;陈金元;罗力;倪图强;尹志尧;何乃明 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/513;C30B25/08;H05H1/00;B01J19/08 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王 洁 |
| 地址: | 201201上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 等离子体 反应 区域 包括 处理 平台 | ||
1.一种等离子体反应室,包括:
反应室主体;
可旋转的基片支座,其设置于所述反应室主体内;
第一气体传递分布装置;
第二气体传递分布装置,其与所述第一气体传递分布装置相互间隔开, 并且与所述第一气体传递分布装置和所述反应室主体相互电绝缘,其 中在第一气体传递分布装置与第二气体传递分布装置之间构成一相邻 等离子体生成区,在第二气体传递分布装置和基片支座之间构成一与 等离子参与反应区同位的等离子体生成区,所述第一气体传递分布装 置将一第一处理气体输送至该相邻等离子体生成区,所述第二气体传 递分布装置将一第二处理气体输送至该与等离子参与反应区同位的等 离子体生成区,所述第二气体传递分布装置还将来自相邻等离子体生 成区的等离子体粒子输送至与等离子参与反应区同位的等离子体生成 区;
第一处理气体的气体供应源,其提供所述第一处理气体,并连接于所 述第一气体传递分布装置;
第二处理气体的气体供应源,其提供所述第二处理气体,并连接于所 述第二气体传递分布装置;
其中,所述第一处理气体和所述第二处理气体分别沿两种反应气体路 径传输并保持相互隔离,直至逸出所述第二气体传递分布装置;
射频源,其与所述第一气体传递分布装置相连接;以及
切换装置,用于将第二气体传递分布装置选择性地连接至射频源或接 地.
所述第二气体传递分布装置还包括一个缓冲板,用于均匀扩散、分布 第二处理气体。
2.如权利要求1所述的等离子体反应室,所述切换装置包括可移动的机 械接触元件,用以选择性地将第二气体传递分布装置连接至第一气体 传递分布装置或连接至反应室主体。
3.如权利要求1所述的等离子体反应室,所述切换装置包括电子式切换 开关。
4.如权利要求1所述的等离子体反应室,所述第二气体传递分布装置包 括一导电性喷淋板、一个连接至该导电性喷淋板的绝缘板、以及一个 连接至该绝缘板的导电性气体传递分布板,其中所述传递分布板接地, 所述切换装置可以选择性地将导电性喷淋板连接至射频源或接地。
5.如权利要求4所述的等离子体反应室,所述切换装置选择性地将第一 气体传递分布装置连接至射频源或置于浮地电位。
6.如权利要求1所述的等离子体反应室,所述第二气体传递分布装置包 括喷淋板以及与喷淋板相连接的导电性气体传递分布板,其中所述导 电性气体传递分布板包括多个面向相邻等离子体生成区的半球形孔。
7.如权利要求1的等离子体反应室,还包括加热器,其设置于基片支座 内。
8.如权利要求1所述的等离子体反应室,所述射频源包括高频射频源、 低频射频源以及射频匹配电路。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





