[发明专利]掺镱铌酸钙激光晶体及其制备方法无效
申请号: | 200710171390.9 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101174756A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 徐军;徐晓东;程艳;吴锋;姚罡 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01S3/16 | 分类号: | H01S3/16;C30B29/22;C30B15/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺镱铌酸钙 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种掺镱铌酸钙激光晶体,其分子式为Yb:Ca2Nb2O7,特征在于其原料配方为:
原料 摩尔比
Yb2O3 x
CaCO3 2(1-x)
和Nb2O5, 1
其中x的取值范围为0.005~0.25。
2.权利要求1所述的掺镱铌酸钙激光晶体的制备方法,其特征在于采用熔体法生长Yb:Ca2Nb2O7单晶,具体步骤是:选定x值后,按摩尔比称量原料,将原料充分混合均匀后,在液压机上压制成块,然后装入坩埚内,采用熔体法生长Yb:Ca2Nb2O7单晶体。
3.根据权利要求2所述的掺镱铌酸钙激光晶体的制备方法,其特征在于所述的熔体法为提拉法,采用提拉法生长Yb:Ca2Nb2O7晶体,坩埚材料为铱,籽晶采用[001]方向的Ca2Nb2O7单晶棒或Yb:Ca2Nb2O7单晶棒,晶体生长在高纯N2气氛中进行。
4.根据权利要求2所述的掺镱铌酸钙激光晶体的制备方法,其特征在于所述的熔体法为温度梯度法,采用温度梯度法生长Yb:Ca2Nb2O7晶体,坩埚材料为高纯石墨,坩埚底部不放籽晶,或放入[001]方向的Ca2Nb2O7单晶棒或Yb:Ca2Nb2O7单晶棒,晶体生长在高纯N2气氛中进行。
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