[发明专利]晶圆翘曲程度的检测方法有效
申请号: | 200710170746.7 | 申请日: | 2007-11-21 |
公开(公告)号: | CN101442018A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 刘明源;何永根 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/16 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆翘曲 程度 检测 方法 | ||
1.一种晶圆翘曲程度的检测方法,其特征在于,该检测方法包括如下步骤:
在晶圆表面选择两条垂直且交叉于晶圆中心的检测线,在每一检测线上选择相同数量且相同分布的若干检测点;
在晶圆进行某一制程之前,提供具有光源的检测装置,其利用光源发生光束测量光源到晶圆表面的每一检测点的距离,该距离定义为基准距离;
在晶圆进行所述某一制程之后,所述检测装置测量光源到晶圆表面的每一检测点的距离,该距离定义为测量距离;
测量距离减去对应的基准距离获得每一检测点的差值;
若所述差值超出允许值范围,则说明晶圆的翘曲影响后续制程;
若所述差值在允许值范围内,则比较在晶圆同一圆周上的分别位于两检测线上的两检测点所获得的差值;若所述两检测点获得的差值相同,则说明该晶圆的翘曲不会影响后续制程;若两差值不相同,则说明该晶圆的翘曲影响后续制程;
所述两检测线上所选择的检测点分别都大于等于20个。
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:检测点的数量为51个。
3.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:所述某一制程为热氧化制程,以在晶圆表面形成氧化物薄膜。
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于:所述晶圆还设置有标记缺口,其中一检测线通过该标记缺口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造