[发明专利]具有扩散阻挡结构的栅极二极管非易失性存储器

权利要求书

1.一种储存数据的非易失性存储元件集成电路，包括：

电荷储存结构，其具有代表数据的电荷储存状态；

一个或多个电荷储存电介质结构，其至少部分位于所述电荷储存结构与二极管结构之间，且至少部分位于所述电荷储存结构与栅极电压源之间；

二极管结构中具有第一节点与第二节点，其由扩散阻挡结所分隔，所述第一节点与所述第二节点至少部分与所述一个或多个电荷储存电介质结构邻接，同时所述二极管结构具有截面，在其中所述第二节点具有通过绝缘电介质层与多个相邻元件隔绝的相对面。

2.如权利要求1所述的元件，其中所述扩散阻挡结的厚度不大于20埃。

3.如权利要求1所述的元件，其中的所述扩散阻挡结的厚度不大于20埃，而所述邻接扩散阻挡结至少部分与所述一或多个电荷储存电介质结构相连。

4.如权利要求1所述的元件，其中还包括：

逻辑，其可施加偏压安排以决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态，且可测量流经所述二极管结构的反向偏压电流，以决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态。

5.如权利要求1所述的元件，其中在反向偏压时流经所述二极管结构的读取电流可决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态。

6.如权利要求1所述的元件，其中在反向偏压时流经所述二极管结构的能带间读取电流其可决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态。

7.如权利要求1所述的元件，其中所述第二节点通过各所述相邻元件的第二节点与各所述相邻元件连接。

8.如权利要求1所述的元件，其中所述第二节点连接到独立位线，所述位线独立于所述相邻元件的第二节点所连接的位线。

9.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管结构为肖特基二极管。

10.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管结构为pn二极管。

11.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管的所述扩散阻挡结包括氧化物。

12.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管的所述扩散阻挡结包括氮化物。

13.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管的所述扩散阻挡结包括氮氧化物。

14.如权利要求1所述的元件，其中所述电荷储存结构包括浮动栅极材料。

15.如权利要求1所述的元件，其中所述电荷储存结构包括电荷捕捉材料。

16.如权利要求1所述的元件，其中所述电荷储存结构包括纳米晶体材料。

17.如权利要求1所述的元件，其中每一所述电荷储存状态储存一个位。

18.如权利要求1所述的元件，其中每一所述电荷储存状态储存多个位。

19.如权利要求1所述的元件，其中所述二极管至少为单晶、多晶、或非晶之一。

20.一种制造可储存数据的非易失性存储元件集成电路的方法，包括：

提供电荷储存结构，其具有代表数据的电荷储存状态；

提供一个或多个电荷储存电介质结构，其至少部分位于所述电荷储存结构与二极管结构之间，也至少部分位于所述电荷储存结构与栅极电压源之间；以及

提供具有第一节点与第二节点的所述二极管结构，其由扩散阻挡结所分隔，所述第一节点与所述第二节点至少部分与所述一或多个电荷储存电介质结构连接，同时所述二极管结构具有截面，在其中所述第二节点具有通过绝缘电介质层与多个相邻元件隔绝的相对面。

21.如权利要求20所述的方法，还包括：

提供逻辑，其可施加偏压安排以决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态，且可测量流经所述二极管结构的反向偏压电流，以决定所述电荷储存结构的所述电荷储存状态。