[发明专利]主动元件阵列基板、其像素结构及其驱动方法有效
| 申请号: | 200710169546.X | 申请日: | 2007-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN101149543A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
| 发明(设计)人: | 胡至仁;蔡孟璋;郑景升;程琮钦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/133;H01L27/12;G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 元件 阵列 像素 结构 及其 驱动 方法 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,所述的像素结构包括:
一第一透明电极;
一第二透明电极;
一反射电极,连接所述的第二透明电极,且所述的第一透明电极与所述的第二透明电极以及所述的反射电极相互绝缘;
一第一主动元件,电性连接所述的第一透明电极,以施加一第一驱动电压于所述的第一透明电极;
一第二主动元件,电性连接所述的第二透明电极以及所述的反射电极,以施加一第二驱动电压于所述的第二透明电极以及所述的反射电极,其中所述的第一驱动电压与所述的第二驱动电压不同。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的第一驱动电压小于所述的第二驱动电压。
3.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的第一驱动电压大于所述的第二驱动电压。
4.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的第一主动元件与所述的第二主动元件至少其中之一位于所述的反射电极下方。
5.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的第一主动元件或所述的第二主动元件至少其中之一为薄膜晶体管。
6.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的第一透明电极或所述的第二透明电极的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。
7.如权利要求1所述的像素结构,其中所述的反射电极的材质包括金属。
8.一种主动元件阵列基板,其特征在于,所述的主动元件阵列基板包括:
一基板;
多个第一数据配线;
多个第二数据配线,与所述的这些第一数据配线沿相同方向延伸;
多个扫描配线,与所述的这些第一数据配线以及所述的这些第二数据配线相交;
多个像素结构,阵列排列于所述的基板上,各所述的像素结构包括:
一第一透明电极;
一第二透明电极;
一反射电极,连接所述的第二透明电极,且所述的第一透明电极与所述的第二透明电极以及所述的反射电极相互绝缘;
一第一主动元件,电性连接所述的第一透明电极,并借由其所对应的所述的扫描配线与所述的第一数据配线进行驱动,以施加一第一驱动电压至所述的第一透明电极;以及
一第二主动元件,电性连接所述的第二透明电极以及所述的反射电极,并借由其所对应的所述的扫描配线与所述的第二数据配线进行驱动,以施加一第二驱动电压至所述的第二透明电极与所述的反射电极,其中所述的第一驱动电压与所述的第二驱动电压不同。
9.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中每一像素结构中的所述的第一驱动电压小于所述的第二驱动电压。
10.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中每一像素结构中的所述的第一电压大于所述的第二电压。
11.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中每一像素电极中的所述的第一主动元件与所述的第二主动元件至少其中之一位于所述的反射电极下方。
12.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其特征在于,所述的主动元件阵列基板更包括一光感测器,配置于所述的基板上。
13.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中所述的这些第一主动元件或所述的这些第二主动元件至少其中之一为薄膜晶体管。
14.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中所述的这些第一透明电极或所述的这些第二透明电极至少其中之一的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。
15.如权利要求8所述的主动元件阵列基板,其中所述的这些反射电极的材质包括金属。
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